培育千億級(jí)光芯片產(chǎn)業(yè)集群！廣東重磅發(fā)文
【化工儀器網(wǎng) 政策法規(guī)】光芯片是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)元器件，相較于集成電路，展現(xiàn)出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時(shí)間延遲以及更強(qiáng)的抗電磁干擾能力，有望帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革式發(fā)展，有力支撐新一代網(wǎng)絡(luò)通信、人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
10月21日，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動(dòng)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)方案(2024—2030年)》(以下簡稱《行動(dòng)方案》)，明確力爭到2030年，廣東取得10項(xiàng)以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個(gè)以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè)10個(gè)左右國家和省級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)。
《行動(dòng)方案》明確，強(qiáng)化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力，將鼓勵(lì)有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計(jì)算、超高速光子網(wǎng)絡(luò)、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等未來前沿科學(xué)問題開展基礎(chǔ)研究。加大對(duì)高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導(dǎo)體設(shè)備等方向的研發(fā)投入力度。加大“強(qiáng)芯”工程對(duì)光芯片的支持力度，將面向集成電路產(chǎn)業(yè)底層算法和架構(gòu)技術(shù)的研發(fā)補(bǔ)貼、量產(chǎn)前首輪流片獎(jiǎng)補(bǔ)等產(chǎn)業(yè)政策，擴(kuò)展至光芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件(PDA工具)、硅光MPW流片等領(lǐng)域。
針對(duì)創(chuàng)新平臺(tái)，《行動(dòng)方案》將依托企業(yè)、高校、科研院所、新型研發(fā)機(jī)構(gòu)等各類創(chuàng)新主體，布局建設(shè)一批光芯片領(lǐng)域共性技術(shù)研發(fā)平臺(tái)，主要聚焦基礎(chǔ)理論研究和新興技術(shù)、顛覆性技術(shù)攻關(guān)。引進(jìn)國內(nèi)外戰(zhàn)略科技力量，培育一批產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、技術(shù)創(chuàng)新中心、制造業(yè)創(chuàng)新中心、企業(yè)技術(shù)中心、工程研究中心、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等創(chuàng)新平臺(tái)，主要聚焦光芯片關(guān)鍵細(xì)分環(huán)節(jié)。
大力培育領(lǐng)軍企業(yè)方面，《行動(dòng)方案》提出，一是支持引進(jìn)和培育一批領(lǐng)軍企業(yè)。圍繞光芯片關(guān)鍵細(xì)分領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié)，引進(jìn)一批匯聚全球資源、在細(xì)分領(lǐng)域占據(jù)引領(lǐng)地位的領(lǐng)軍企業(yè)和新物種企業(yè)。支持有條件的光芯片企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié)進(jìn)行并購整合，加快提升業(yè)務(wù)規(guī)模。二是支持孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè)，鼓勵(lì)半導(dǎo)體及集成電路頭部企業(yè)發(fā)揮產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)優(yōu)勢，延伸布局光芯片相關(guān)領(lǐng)域。三是支持龍頭企業(yè)加強(qiáng)在粵布局。支持光芯片龍頭企業(yè)加大在粵的研發(fā)和產(chǎn)線布局，加快形成光芯片產(chǎn)業(yè)集群。
《行動(dòng)方案》還提到，圍繞光芯片前沿理論和技術(shù)問題開展基礎(chǔ)攻關(guān)和研發(fā)布局。支持企業(yè)、高校、研究機(jī)構(gòu)等圍繞光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片、光量子芯片、超靈敏光傳感探測芯片、光電異質(zhì)異構(gòu)混合集成芯片、微腔光電子芯片、冪次增長算力光芯片等技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)布局，努力實(shí)現(xiàn)原理性突破、原始性技術(shù)積累和開創(chuàng)性突破。
此外，《行動(dòng)方案》提出，推進(jìn)光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造，大力推動(dòng)刻蝕機(jī)、鍵合機(jī)、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)等，落實(shí)工業(yè)設(shè)備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級(jí)。
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