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          FT-331 雙電四探針電阻率詳情介紹

          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱 寧波瑞柯微智能科技有限公司
          • 品牌 ROOKO/瑞柯
          • 型號(hào) FT-331
          • 產(chǎn)地 浙江
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間 2024/6/13 9:55:54
          • 訪問次數(shù) 1922

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          ROOKO[瑞柯微]儀器經(jīng)營--專注于粉體和材料測(cè)試與分析儀器的產(chǎn)銷及服務(wù);產(chǎn)品服務(wù)于科研、院校、實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)研發(fā)部門;“質(zhì)量為本、服務(wù)先行”之經(jīng)營理念;致力于創(chuàng)新為客戶提供解決方案;堅(jiān)持差異化經(jīng)營,求同存異;以創(chuàng)新,改變認(rèn)知,提升品質(zhì)為使命;采用新技術(shù)、新方法、提升客戶價(jià)值為全員謀福祉為愿景;堅(jiān)持修己、求進(jìn)、創(chuàng)新為價(jià)值觀;與廣大用戶共進(jìn)步,共發(fā)展.目前經(jīng)營如下系列產(chǎn)品:

          1.粉體顆粒測(cè)試儀器系列;2.材料電性能測(cè)試儀系列3.流變儀和粘度計(jì)系列;

          4.熱分析儀器系列.

          1.粉體顆粒測(cè)試儀器系列:

          粉末流動(dòng)性測(cè)試儀,堆密度儀,粉體綜合特性測(cè)試儀,粉屈服強(qiáng)度測(cè)試儀.粉體流變儀,粉末電阻率測(cè)試儀,休止角測(cè)定儀,安息角測(cè)定儀,松裝密度測(cè)定儀,振實(shí)密度儀,斯柯特容量計(jì),霍爾流速計(jì),表觀密度測(cè)定儀,顆粒強(qiáng)度測(cè)定儀.

          2.導(dǎo)體/半導(dǎo)體/絕緣材料電性能測(cè)試系列:

          材料表面/體積電阻率測(cè)試儀、四探針方阻/電阻率測(cè)試儀、高溫電阻率測(cè)試系統(tǒng)、電壓降測(cè)試儀.3.流變儀和粘度計(jì)系列;4.熱分析儀器系列.


          堆密度儀,松裝密度儀,振實(shí)密度儀,四探針測(cè)試儀,堆積密度測(cè)定儀,安息角測(cè)定儀,電壓降測(cè)試儀,方阻測(cè)試儀,表面和體積電阻率測(cè)試儀

          產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 1萬-3萬
          應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 自動(dòng)化度 手動(dòng)

          雙電四探針電阻率詳情介紹

          適用范圍

          1.覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試

          2.硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件,導(dǎo)電薄膜(ITO導(dǎo)電膜玻璃等),金屬膜,導(dǎo)電漆膜,蒸發(fā)鋁膜,PCB銅箔膜,

          3.EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導(dǎo)電性油漆,導(dǎo)電性糊狀物,導(dǎo)電性塑料,導(dǎo)電性橡膠,導(dǎo)電性薄膜,金屬薄膜,

          4.抗靜電材料, EMI 防護(hù)材料,導(dǎo)電性纖維,導(dǎo)電性陶瓷等,

          雙電四探針電阻率詳情介紹

          功能描述Description:

          1. 四探針組合雙電測(cè)量方法

          2. 液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.

          3. 集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.

          4. 選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

          5. 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇

          參照標(biāo)準(zhǔn):

          1.硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84).

          2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》.

          3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》.

          4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.

           

           

          雙電組合測(cè)試方法:

          利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

          工作原理和計(jì)算公式

          1.雙電測(cè)四探針法測(cè)試薄層樣品方阻計(jì)算和測(cè)試原理如下

          直線四探針測(cè)試布局如圖8,相鄰針距分別為S1、S2、S3,根據(jù)物理基礎(chǔ)和電學(xué)原理:

          當(dāng)電流通過1、4探針,2、3探針測(cè)試電壓時(shí)計(jì)算如下:



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