ESS03 波長(zhǎng)掃描式 多入射角光譜橢偏儀
- 公司名稱 北京賽凡光電儀器有限公司
- 品牌
- 型號(hào) ESS03
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2015/12/25 12:56:35
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單色儀，光源，太陽(yáng)模擬器，太陽(yáng)能電池測(cè)試系統(tǒng)，平移臺(tái)，精密調(diào)整系統(tǒng)，光學(xué)平臺(tái)
ES0S3是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量領(lǐng)域推出的波長(zhǎng)掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長(zhǎng)范圍覆蓋紫外、可見(jiàn)、近紅外、到遠(yuǎn)紅外。
ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學(xué)參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等），也可用于測(cè)量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
技術(shù)特點(diǎn)：
極寬的光譜范圍
采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準(zhǔn)確度，非常適合于對(duì)光譜范圍要求極其嚴(yán)格的場(chǎng)合。
靈活的測(cè)量設(shè)置
儀器的多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定（包括：波長(zhǎng)范圍、掃描步距、入射角度等），*地提高了測(cè)量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度
*的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)地納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。
非常經(jīng)濟(jì)的技術(shù)方案
采用較經(jīng)濟(jì)的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量，儀器整體成本得到有效降低。
應(yīng)用領(lǐng)域：
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn)，這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。
ESS03可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等，典型應(yīng)用如：
- 半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
- 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
- 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
- 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
- 節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域：LOW-E玻璃等。
ESS03系列也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：
- 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。
技術(shù)指標(biāo)：
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
光譜范圍 | ESS03VI：370-1700nm ESS03UI：245-1700nm |
光譜分辨率（nm） | 可設(shè)置 |
入射角度 | 40°-90°手動(dòng)調(diào)節(jié)，步距5，重復(fù)性0.02 |
準(zhǔn)確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式測(cè)空氣時(shí)） |
膜厚測(cè)量重復(fù)性（1） | 0.05nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率n測(cè)量重復(fù)性（1） | 0.001 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測(cè)量時(shí)間 | 典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測(cè)量模式） |
光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有*的準(zhǔn)確度） |
可測(cè)量樣品zui大尺寸 | 直徑200 mm |
樣品方位調(diào)整 | 高度調(diào)節(jié)范圍：10mm |
二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
樣品對(duì)準(zhǔn) | 光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) |
軟件 | •多語(yǔ)言界面切換 |
•預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用 | |
•安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員） | |
•方便的材料數(shù)據(jù)庫(kù)以及多種色散模型庫(kù) | |
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫(kù) | |
選配件 | 自動(dòng)掃描樣品臺(tái) 聚焦透鏡 |
注：(1)測(cè)量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。
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