LMBE 激光分子束外延系統(tǒng)
- 公司名稱 北京匯德信科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào) LMBE
- 產(chǎn)地 荷蘭
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2016/9/28 10:02:29
- 訪問次數(shù) 1504
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分子束外延系統(tǒng),脈沖激光沉積系統(tǒng),電子束光刻/聚焦離子束系統(tǒng),紫外光刻機(jī),去膠機(jī),寬頻介電阻抗譜儀,三維表面形貌儀,納米壓印模板,光刻膠等
激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE)是在傳統(tǒng)的分子束外延(MBE)和脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,PLD與提供原位監(jiān)測的反射高能電子衍射儀(RHEED)相結(jié)合,使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)類似于MBE的,單原子層精度的薄膜生長。相比于MBE的熱蒸發(fā),它是使用脈沖激光的高能量使材料蒸發(fā)甚至電離,因此被稱作Laser MBE(激光分子束外延系統(tǒng))。LMBE屬于薄膜制備設(shè)備,適用于生長各種納米尺度的單層膜或多層膜。
(LMBE)
荷蘭TSST(Twente Solid State Technology BV)公司生產(chǎn)的LMBE產(chǎn)品,基于荷蘭Twente 大學(xué)的原始設(shè)計(jì),并且能夠滿足不同客戶的需求,具有很大的靈活性。公司自成立以來,一直致力于PLD/LMBE系統(tǒng)的研發(fā)與生產(chǎn),客戶通過使用我們的產(chǎn)品,取得了豐碩的科研成果。
產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢:
- 超高真空沉積腔體,本底真空優(yōu)于10-9mbar。
- 可集成多種薄膜制備和表面分析設(shè)備,如磁控濺射源、離子源、STM、XPS等。
- 可以通過軟件編寫工藝流程,系統(tǒng)自動(dòng)執(zhí)行,可實(shí)現(xiàn)多層膜的自動(dòng)化生長。
- 提供原位監(jiān)測的RHEED的電子槍通常需要工作在較高的真空環(huán)境下(小于10-6mbar),但LMBE系統(tǒng)在成膜過程中往往需要較高的工藝壓力,我們的LMBE采用的是STAIB公司生產(chǎn)的差分抽氣RHEED,系統(tǒng)的zui高工作氣壓可達(dá)100Pa。
- 為了減小在使用RHEED時(shí),磁場對(duì)電子束的影響,我們的LMBE系統(tǒng)能穩(wěn)定加熱電流,同時(shí)使用抗磁場金屬外殼來保護(hù)電子槍。
- TSST公司是高壓RHEED的發(fā)明人,其在RHEED結(jié)果的分析上造詣很深,可以為用戶提供結(jié)果分析建議。
RHEED振蕩曲線
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