晶圓廠具有自動(dòng)缺陷檢測(cè)的原子力顯微鏡
全自動(dòng)AFM解決了缺陷成像和分析問(wèn)題，提高缺陷檢測(cè)生產(chǎn)率達(dá)1000%。
帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動(dòng)的缺陷檢測(cè)和識(shí)別，使得關(guān)鍵的在線過(guò)程能夠通過(guò)高分辨率3D成像對(duì)缺陷類型進(jìn)行分類并找出它們的來(lái)源。
智能ADR專門為半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)提供缺陷檢測(cè)解決方案，具有自動(dòng)目標(biāo)定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標(biāo)記。與傳統(tǒng)的缺陷檢測(cè)方法相比，智能ADR過(guò)程提高了1000%的生產(chǎn)率。此外，帕克具有創(chuàng)新性的True-Contact™模式AFM技術(shù)，使得新的ADR有能力提供高達(dá)20倍的更長(zhǎng)的探針壽命。

用于精確、高吞吐量CMP輪廓測(cè)量的低噪聲原子力輪廓儀
低噪聲Park原子力顯微鏡（AFM）與長(zhǎng)距離滑動(dòng)臺(tái)相結(jié)合，成為用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）計(jì)量的原子力輪廓儀（AFP）。新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測(cè)量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有*輪廓掃描精度和市場(chǎng)可重復(fù)性。這保證了在寬范圍的輪廓量程上沒(méi)有非線性或高噪聲背景去除的精確高度測(cè)量。

超高精度和最小化探針針尖變量的亞埃級(jí)表面粗糙度測(cè)量
晶圓的表面粗糙度對(duì)于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的。對(duì)于元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對(duì)晶圓上超平坦表面進(jìn)行更精確的粗糙度控制。通過(guò)提供低于 0.5 Å的業(yè)界噪聲，并將其與真正的非接觸式模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有最小針尖變量的的亞埃級(jí)粗糙度測(cè)量。Park的串?dāng)_消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會(huì)有背景曲率，即使在最平坦的表面上，也不需過(guò)多考慮掃描位置、速率和大小。這使得其非常精確和可重復(fù)地對(duì)微米級(jí)粗糙度到長(zhǎng)范圍不平整表面進(jìn)行測(cè)量。

為在線晶圓廠計(jì)量提供高生產(chǎn)率和強(qiáng)大特性
光片和基板的自動(dòng)缺陷檢測(cè)
新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和校正到缺陷的測(cè)量和放大掃描成像的全自動(dòng)缺陷復(fù)查過(guò)程，該過(guò)程不需要樣品晶片上的任何參考標(biāo)記，是*重映射過(guò)程。與掃描電子顯微鏡（SEM）運(yùn)行后在缺陷部位留下方形的破壞性輻照痕跡不同，新的帕克 ADR AFM能夠?qū)崿F(xiàn)*的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和更強(qiáng)的視覺(jué)，利用晶圓邊緣和缺口來(lái)自動(dòng)實(shí)現(xiàn)缺陷檢查設(shè)備和AFM之間的連接。由于它是*自動(dòng)化的，因此不需要任何單獨(dú)的步驟來(lái)校準(zhǔn)目標(biāo)缺陷檢查系統(tǒng)的移動(dòng)平臺(tái)，從而將吞吐量增加到1000%。

基于強(qiáng)大視覺(jué)進(jìn)行自動(dòng)傳送和缺陷映射的校正
利用Park的專有坐標(biāo)轉(zhuǎn)換技術(shù)，新型Park ADR AFM能夠?qū)⒓す馍⑸淙毕輽z測(cè)工具獲得的缺陷精確地傳送到300mm Park AFM系統(tǒng)。

自動(dòng)搜索 & 放大掃描
缺陷分兩步成像；(1)檢測(cè)成像，通過(guò)AFM或增強(qiáng)光學(xué)視覺(jué)來(lái)完善缺陷定位，然后(2)放大AFM掃描來(lái)獲得缺陷的詳細(xì)圖像，呈現(xiàn)缺陷類型和隨后缺陷尺寸的自動(dòng)分析。

 CMP進(jìn)行表征的長(zhǎng)范圍輪廓掃描
平坦化是在使用金屬和介電材料的后段工藝中最重要的步驟?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）后的局部和全局均勻性對(duì)芯片制造的產(chǎn)量有很大的影響。精確的CMP輪廓掃描是優(yōu)化工藝條件、獲得最佳平坦度以及提高生產(chǎn)率的關(guān)鍵計(jì)量。
C結(jié)合Park NX-Wafer的滑動(dòng)平臺(tái)，為CMP計(jì)量提供了遠(yuǎn)程輪廓分析能力。由于Park自動(dòng)化原子力顯微鏡*的平臺(tái)設(shè)計(jì)，組合系統(tǒng)提供非常平坦的輪廓掃描，并且一般在每次測(cè)量之后不需要復(fù)雜的背景去除或前處理。Park NX-Wafer實(shí)現(xiàn)了CMP測(cè)量，包括凹陷、侵蝕和邊緣過(guò)度侵蝕（EOE）的局部和全局的平坦度測(cè)量。
亞埃級(jí)表面粗糙度控制
半導(dǎo)體供應(yīng)商正在開(kāi)發(fā)超平坦晶圓，以解決不斷縮小元件尺寸的需求。然而，從來(lái)沒(méi)有一個(gè)計(jì)量工具能夠給這些擁有亞埃級(jí)粗糙度的襯底表面提供準(zhǔn)確和可靠的測(cè)量。通過(guò)在整個(gè)晶圓區(qū)域提供低于0.5A的業(yè)界噪聲下限，并將其與真正非接觸模式相結(jié)合，Park NX-Wafer可以對(duì)最平坦的基底和晶圓進(jìn)行精確、可重復(fù)和可再現(xiàn)的亞埃級(jí)粗糙度測(cè)量，并最小化針尖的變量。即使對(duì)于掃描尺寸達(dá)到100μm×100μm的遠(yuǎn)距離波度，也能夠獲得非常準(zhǔn)確和可重復(fù)的表面測(cè)量。
高吞吐量晶圓廠檢測(cè)和分析
• 自動(dòng)換針
• 設(shè)備前端模塊（EFEM）用于自動(dòng)晶圓傳送
• 潔凈室兼容性和遠(yuǎn)程控制接口
• 溝槽寬度、深度和角度測(cè)量的自動(dòng)數(shù)據(jù)采集和分析
Park NX-Wafer的特征
長(zhǎng)范圍輪廓儀
長(zhǎng)范圍輪廓儀是原子力輪廓儀（AFP）的重要組成部分，并且具有用于自動(dòng)CMP輪廓掃描和分析的專用用戶界面。
• 200mm : 10 mm
• 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)
采用閉環(huán)雙伺服系統(tǒng)的100μm×100μm柔性導(dǎo)向XY掃描器
XY掃描儀由對(duì)稱的二維撓曲和高-力的壓電堆組成，它們提供高度正交的運(yùn)動(dòng)，同時(shí)具有最小的平面外運(yùn)動(dòng)，以及納米尺度上精確樣品掃描所必需的高響應(yīng)性。兩個(gè)對(duì)稱的低噪聲位置傳感器被結(jié)合在XY掃描儀的每個(gè)軸上，以便為最大掃描范圍和樣品大小保持高水平的掃描正交性。非線性和非平面位置誤差的次級(jí)傳感器校正和補(bǔ)償是由單個(gè)傳感器引起的。
擁有低噪聲位置傳感器的15μm高速Z掃描器
NX-Wafer通過(guò)利用其超低噪聲Z探測(cè)器代替通常使用的非線性Z電壓信號(hào)，為用戶提供形貌高度得到的測(cè)量精度。低噪聲Z探測(cè)器取代應(yīng)用Z電壓作為形貌信號(hào)。由高-力壓電堆驅(qū)動(dòng)并由撓性結(jié)構(gòu)引導(dǎo)，標(biāo)準(zhǔn)Z掃描器具有高的諧振頻率，能夠進(jìn)行更精確的反饋。最大Z掃描范圍可由15μm擴(kuò)展到40μm，采用可選的長(zhǎng)距離Z掃描儀。

自動(dòng)測(cè)量控制，使您可以獲得準(zhǔn)確的掃描避免繁瑣的工作
NX-Wafer配備了自動(dòng)化軟件，使操作幾乎不費(fèi)吹灰之力只要選擇所需的測(cè)量程序，就可獲得精確的多點(diǎn)分析懸臂調(diào)整，掃描速率，增益和設(shè)定點(diǎn)參數(shù)的優(yōu)化設(shè)置。
Park的用戶友好的軟件界面為您提供了創(chuàng)建定制操作例程的靈活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以獲得所需的測(cè)量。
創(chuàng)建新例程很容易。從零開(kāi)始，大約需要10分鐘，或不到5分鐘修改現(xiàn)有的一個(gè)。
Park NX-Wafer的自動(dòng)化系統(tǒng)特點(diǎn):
• 無(wú)論是自動(dòng)模式，半自動(dòng)模式還是手動(dòng)模式，都可以*控制
• 每個(gè)自動(dòng)例程的可編輯測(cè)量方法
• 對(duì)測(cè)量過(guò)程進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
• 對(duì)獲得的測(cè)量數(shù)據(jù)的自動(dòng)分