名稱（Name）

真空式等離子處理系統(tǒng)

型號（Model）

CRF-VPO-12L-S

控制系統(tǒng)（Control system）

PLC+觸摸屏

電源（Power supply）

380V/AC,50/60Hz, 7kw

中頻電源功率（RF Power）

1000W/40KHz/13.56MHz

容量（Volume ）

180L(Option)

層數(shù)（Electrode of plies ）

14(Option)

有效處理面積（Area）

490(L)*356(W)

氣體通道（Gas）

兩路工作氣體可選：Ar、N2、CF4、O2

外形（Appearance ）

鈑金結(jié)構(gòu)

產(chǎn)品特點
超大處理空間，提升處理產(chǎn)能，采用PLC+觸摸屏控制系統(tǒng)，精準(zhǔn)的控制設(shè)備運行；
可按照客戶要求定制設(shè)備腔體容量和層數(shù)，滿足客戶的需求；保養(yǎng)維修成本低，便于客戶成本控制；
高精度，快響應(yīng)，良好的操控性和兼容性，完善的功能和專業(yè)的技術(shù)支持。
 
應(yīng)用范圍
真空等離子清洗機適用于印制線路板行業(yè)，半導(dǎo)體IC領(lǐng)域、等離子硅膠處理、塑膠處理、聚合體領(lǐng)域，汽車電子行業(yè)，航空工業(yè)等。印制線路板行業(yè)：高頻板表面活化，多層板表面清潔、去鉆污、軟板、軟硬結(jié)合板表面清潔、去鉆污，軟板補強前活化。半導(dǎo)體IC領(lǐng)域：COB、COG、COF、ACF工藝，用于打線、焊接前的清洗；硅膠、塑膠、聚合體領(lǐng)域：硅膠、塑膠、聚合體的表面粗化、等離子刻蝕、活化。
 

單晶圓清洗設(shè)備為何在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中地位會提(升)？

單晶圓清洗設(shè)備和清洗工藝在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位提(升)

從市場銷售份額來看，單晶圓清洗設(shè)備在2008年之后超過自動清洗臺成為主要的清洗設(shè)備，而這一年正是行業(yè)引入45nm節(jié)點的時間。根據(jù)ITRS，2007年致2008年是45nm工藝節(jié)點量產(chǎn)的開始。松下、英特爾、IBM、三星等紛紛于此時段開始量產(chǎn)45nm。2008年底，中芯獲得了IBM批量生產(chǎn)45納(米)工藝的，成為中國向45nm邁進的中國半導(dǎo)體公司。
并且，在2008年前后兩個階段中，*很高的清潔設(shè)備走勢均與半導(dǎo)體設(shè)備銷售額走勢保持一致，體現(xiàn)出清洗設(shè)備需求的穩(wěn)定性；并且在單晶圓清洗設(shè)備主導(dǎo)市場后，其占總體銷售額的比例明(顯)提(升)，體現(xiàn)出單晶圓清洗設(shè)備和清洗工藝在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位提(升)。這一*變遷是工藝節(jié)點不斷縮小的必然性結(jié)果。
根據(jù)市場對半導(dǎo)體估計，就每月生產(chǎn)10萬片晶圓的20nm的DARM廠來說，產(chǎn)量下降1％將導(dǎo)致每年利潤減少30致50百萬美元，而邏輯芯片廠商的損失更高。此外，產(chǎn)量的降(低)還將增加廠商原本已經(jīng)十(分)高昂的資本支出。因而，工藝的優(yōu)化和控制是半導(dǎo)體生產(chǎn)制程的重中之重，廠商對于半導(dǎo)體設(shè)備的要求也越來越高，清洗步驟尤其如此。在20nm及以上領(lǐng)域，清洗步驟數(shù)量*工藝步驟數(shù)量的30%。而從16/14nm節(jié)點開始，由3D晶體管結(jié)構(gòu)、前后端更復(fù)雜的集成、EUV光刻等因素推動，工藝步驟的數(shù)量增加得很明(顯)，對清洗工藝和步驟的要求也將明(顯)增加。
工藝節(jié)點縮小擠壓良率，推動清洗設(shè)備需求提(升)。隨著工藝節(jié)點的不斷縮小，經(jīng)濟效益要求半導(dǎo)體公司在清潔工藝上不斷突破，提高對于清潔設(shè)備的參數(shù)要求。對于那些尋求*工藝節(jié)點芯片生產(chǎn)方案的制造商來說，有效的無損清潔將是一個重大挑戰(zhàn)，尤其是10nm、7nm甚致更小的芯片。為了擴展摩爾定律，芯片制造商必須能夠從不僅平坦的晶圓表面除去更小的隨機缺陷，而且還要能夠適應(yīng)更復(fù)雜、更精細的3D芯片架構(gòu)，以免造成損害或材料損失，從而降(低)產(chǎn)量和利潤。