C9312SK-06 C7921 濱松hamamatsu平板探測器FPD
- 公司名稱 蘇州圣全科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 C9312SK-06 C7921
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時間 2022/11/23 14:10:04
- 訪問次數(shù) 1429
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,電子 | 品牌 | 濱松 |
平板探測器的原理及性能分析
平板探測器是DR的核心部件,平板探測器從能量轉(zhuǎn)換方式可以分為兩種:間接轉(zhuǎn)換平板探測器(indirect FPD)和直接轉(zhuǎn)換平板探測器(direct FPD)。
1、間接轉(zhuǎn)換平板探測器
間接FPD的結(jié)構(gòu)主要是由閃爍體或熒光體層加具有光電二極管作用的非晶硅層(amorphous SILICon,a-Si)再加TFT陣列構(gòu)成。其原理為閃爍體或熒光體層經(jīng)X射線曝光后,將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見光,而后由具有光電二極管作用的非晶硅層變?yōu)閳D像電信號,最后獲得數(shù)字圖像。在間接FPD的圖像采集中,由于有轉(zhuǎn)換為可見光的過程,因此會有光的散射問題,從而導(dǎo)致圖像的空間分辨率及對比度解析能力的降低。閃爍體目前主要有碘化銫(CsI,也用于影像增強(qiáng)器),熒光體則有硫氧化釓(GDSO,也用于增感屏)。間接轉(zhuǎn)換平板探測器通常有以下幾種結(jié)構(gòu):①碘化銫 ( CsI ) + a-Si(非晶硅)+ TFT:當(dāng)有 X 射線入射到 CsI 閃爍發(fā)光晶體層時,X 射線光子能量轉(zhuǎn)化為可見光光子發(fā)射,可見光激發(fā)光電二極管產(chǎn)生電流, 這電流就在光電二極管自身的電容上積分形成儲存電荷. 每個象素的儲存電荷量和與之對應(yīng)范圍內(nèi)的入射 X 射線光子能量與數(shù)量成正比。②硫氧化( Gd2O2S ) + a-Si(非晶硅) + TFT :利用??感屏材料硫氧化釓 ( Gd2O2S ) 來完成 X 射線光子至可見光的轉(zhuǎn)換過程。③碘化銫 ( CsI ) / 硫氧化釓 ( Gd2O2S ) + 透鏡 / 光導(dǎo)纖維 + CCD / CMOS :X射線先通過閃爍體或熒光體構(gòu)成的可見光轉(zhuǎn)換屏,將X射線光子變?yōu)榭梢姽鈭D像,而后通過透鏡或光導(dǎo)纖維將可見光圖像送至光學(xué)系統(tǒng),由CCD采集轉(zhuǎn)換為圖像電信號。④ CsI ( Gd2O2S ) + CMOS :此類技術(shù)受制于間接能量轉(zhuǎn)換空間分辨率較差的缺點(diǎn),雖利用大量低解像度 CMOS 探頭組成大面積矩陣,尚無法有效與 TFT 平板優(yōu)勢競爭。濱松hamamatsu平板探測器FPD
2、直接轉(zhuǎn)換平板探測器
直接轉(zhuǎn)換平板探測器主要是由非晶硒層(amorphous SelEMIum,a-Se)加薄膜半導(dǎo)體陣列(Thin Film Transistor array,TFT)構(gòu)成的平板檢測器。由于非晶硒是一種光電導(dǎo)材料,因此經(jīng)X射線曝光后直接形成電子-空穴對,產(chǎn)生電信號,通過TFT檢測陣列,再經(jīng) A/D轉(zhuǎn)換獲得數(shù)字化圖像。由于非晶硒不產(chǎn)生可見光,沒有散射光的影響,因此可以獲得比較高的空間分辨率。濱松hamamatsu平板探測器FPD