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          產(chǎn)品展廳

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          青島明華電子儀器有限公司

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          PV, PC, PVM, PEM, PVA VIGO紅外探測器

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            北京北埃特光電子有限責任公司成立于2001年,是從事光電子高技術(shù)產(chǎn)品的研究開發(fā)、技術(shù)引進和生產(chǎn)銷售的高科技公司。公司位于北京市海淀區(qū)中關(guān)村,公司以光電子技術(shù)產(chǎn)品的研究開發(fā)和生產(chǎn)銷售為基礎(chǔ),追蹤世界前沿技術(shù),并與美國、波蘭、德國、荷蘭等國的高技術(shù)公司在CCD成像、紅外及夜視、激光、光譜學、光電探測器件、光電信息及圖像處理、空間光學等方面有廣泛的技術(shù)合作。公司實力雄厚,凝聚了一批有創(chuàng)新精神、有事業(yè)心的高素質(zhì)和高技術(shù)人才隊伍,能提供先進的高科技產(chǎn)品和良好的技術(shù)服務(wù)支持。愿北埃特光電子有限責任公司與您攜手共創(chuàng)美好的未來!
            北京北埃特光電子技術(shù)有限責任公司
            BIT Photoelectronic Co.,Ltd.
            北京海淀區(qū)中關(guān)村南大街9號理工科技大廈7015室
            RM7015 Science & Technology Tower No.9 Zhongguancun South Street, Beijing 100081
            專注非制冷/半導(dǎo)體制冷/液氮制冷/斯特林制冷紅外探測器、黑體輻射源20年!






          VIGO室溫型紅外探測器,VIGO半導(dǎo)體制冷紅外探測器,液氮制冷紅外探測器,標準黑體輻射源,腔式黑體和面源黑體,偏振成像系統(tǒng),PbS和PbSe探測器

          產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合
          響應(yīng)波長: 2-14微米 探測率: 可達1.0E+11
          電流響應(yīng)率: 可達1.5安/瓦

          波蘭 VIGO System 公司是生產(chǎn)紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司, 該公司具有包括MOCVD和MBE的完整紅外探測器生產(chǎn)線, VIGO紅外探測器從MCT和III-V族(InAs、InAsSb)材料晶體生成、半導(dǎo)體襯底片(Wafer)、探測器、偏置電路及前置放大器全部自主生產(chǎn);芯片上生長的浸沒透鏡可把探測靈敏度提高10倍左右;VIGO 紅外探測器 的波長響應(yīng)范圍包括短波、中波及長波,最遠可到16微米。

          波蘭 VIGO System 公司還可以提供專門針對VIGO紅外探測器一對一設(shè)計的前置放大電路,這種前置放大器可以優(yōu)化探測器性能,使得探測裝置可以獲得更佳的探測率D*和響應(yīng)率Ri。公司提供的前置放大器包括標準的、可編程調(diào)節(jié)增益帶寬的、高速、寬帶寬以及小型等多種型號;其中采用四級制冷光浸沒光伏探測器PVI-4TE-5構(gòu)成的的LabM-I-5PLUS探測裝置,靈敏度可接近環(huán)境噪聲限(Near-BLIP)。另外,公司還提供了3種型號的制冷控制器,方便用戶根據(jù)用途選配。探測

          北京北埃特光電子技術(shù)有限責任公司自2001年起就作為波蘭VIGO System公司的正式授權(quán)代理,在大中華區(qū)域推廣和銷售波蘭VIGO System公司的以紅外探測器為基礎(chǔ)的全產(chǎn)品線產(chǎn)品,對VIGO System公司的產(chǎn)品有深刻全面的了解,可以為用戶在選型、定制等售前售中售后服務(wù)中為用戶提供全面的優(yōu)良的服務(wù)。

          所有產(chǎn)品詳細參數(shù)請下載PDF附件

          下面是幾種典型的探測器參數(shù):

          碲鎘汞PCI光導(dǎo)光浸沒型長波


           參數(shù)

          型號

          波長響應(yīng)范圍

          峰值波長

          峰值探測率D*

          cmHz1/2/W(20kHz)

          峰值響應(yīng)率

          Ri

          時間常數(shù)τ

          1/f噪聲拐點

          PCI-4TE-10.6

          2.0-12.5μm

          9.5±0.6μm

          4.1×109

          0.7 A/W

          30ns

          20 kHz

          PCI-4TE-13

          2.0-14μm

          10.4±0.6μm

          2.4×109

          0.5 A/W

          6ns

          20 kHz










          碲鎘汞PVI光伏光浸沒型中波探測器

           參數(shù)

          型號

          波長響應(yīng)范圍

          峰值波長

          峰值探測率D*

          cmHz1/2/W(20kHz)

          峰值響應(yīng)率

          Ri

          時間常數(shù)τ

          動態(tài)電阻

          PVI-2TE-6

          2.6-7.0μm

          5.2±0.2μm

          8.0×1010

          2.5 A/W

          50 ns

          ≥300 Ω








          碲鎘汞光伏電多結(jié)PVMIPVMQ(四象限)

            參數(shù)

          型號

          波長響應(yīng)范圍

          峰值波長

          峰值探測率D*

          cmHz1/2/W(20kHz)

          峰值響應(yīng)率

          Ri A/W

          時間常數(shù)τ

          動態(tài)電阻

          PVMI-4TE-10.6

          2.0-12μm

          9.0±1.0μm

          3.0×109

          0.36


          ≥120 Ω

          PVMQ-10.6

          1 mm×1mm×4

          2.0-12μm

          8.5±1.0μm

          2.0×107

          0.004

          1.5 ns

          ≥30 Ω










          III-V族材料(InAs、InAsSb)光伏型

          (符合歐盟RoHS環(huán)保標準)

                參數(shù)

          型號

          波長響應(yīng)范圍

          μm

          峰值波長

          μm

          峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz)

          峰值響應(yīng)率Ri  A/W

          時間常數(shù)τ  ns

          動態(tài)電阻Ω

          最小值

          典型值

          最小值

          典型值

          典型值

          最大值

          最小值

          典型值

          2.0-5.9

          1.0×109

          3.0×109

          0.06

          0.16

          30

          160

          150

          450

          PVMA-1TE-6

          2.0-6.6

          4.4±0.5

          1.4×109

          4.3×109

          0.08

          0.18

          40

          200

          300

          800

















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