MST 原位多場(chǎng)耦合樣品桿
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 安徽澤攸科技有限公司
- 品牌 PicoFemto
- 型號(hào) MST
- 產(chǎn)地 北京
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/8/21 13:54:06
- 訪問(wèn)次數(shù) 4873
產(chǎn)品標(biāo)簽
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兼容性 | 適配Thermofisher/FEI、JEOL、Hitachi透射電鏡 | 原位功能 | 光、電、力、熱任意耦合 |
---|---|---|---|
樣品桿傾轉(zhuǎn) | 單傾、雙傾 |
PicoFemto系列透射電子顯微鏡原位多場(chǎng)耦合樣品桿是一種革命性的原位透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),借助該系統(tǒng),研究人員可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個(gè)可控的多場(chǎng)環(huán)境(包括光、電、力、熱等),從而對(duì)材料或者器件等不同類型樣品實(shí)現(xiàn)多重激勵(lì)下的原位表征。
具備多種耦合方式:力-熱、力-電、光-電、光-電-力、光-電-力-熱
技術(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品選型
原位多場(chǎng)耦合樣品桿具有單傾、雙傾(JEOL)兩個(gè)版本;
澤攸科技提供適配Thermofisher/FEI(賽默飛)、JEOL(日本電子)、Hitachi(日立)各型號(hào)透射電子顯微鏡及極靴的不同型號(hào)樣品桿,支持定制。
國(guó)內(nèi)部分用戶
1、加熱芯片+電學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的原位加熱電學(xué)實(shí)驗(yàn);
2、加熱芯片+力學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的原位高溫力學(xué)實(shí)驗(yàn);
3、電學(xué)芯片+電學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的三端器件測(cè)量實(shí)驗(yàn);
4、電學(xué)芯片+光纖單元------->透射電鏡內(nèi)的電制發(fā)光現(xiàn)象研究;
5、電學(xué)芯片+光纖單元------->透射電鏡內(nèi)的原位光電現(xiàn)象研究。
具備多種耦合方式:力-熱、力-電、光-電、光-電-力、光-電-力-熱
技術(shù)指標(biāo)
電學(xué)測(cè)量 | 加熱控溫 |
1.包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元; | 1.溫度范圍:室溫至1000℃; |
2.電流測(cè)量范圍:1nA-30mA; | 2.溫度準(zhǔn)確度:優(yōu)于5%; |
3.電流分辨率:100fA; | 3.控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1℃; |
4.電壓輸出范圍:±10V,±150V; | 4..軟件控制,數(shù)據(jù)自動(dòng)保存。 |
5.軟件自動(dòng)測(cè)量:I-V、I-t |
透射電子顯微鏡內(nèi)不同溫度下的原位充放電研究
In Situ TEM Observations of Discharging/Charging of Solid-State Lithium-Sulfur Batteries at High Temperatures
doi: 10.1002/smll.202001899
力學(xué)操縱 | 光纖指標(biāo) |
1.探針粗細(xì)調(diào)方式:全軟件操控; | 1.光纖探針、平頭光纖、光纖透鏡多種方案可選; |
2.粗調(diào)范圍:XY方向2.5mm,Z方向1.5mm; | 2.光纖快拆接口:SMA、FC等; |
3.細(xì)調(diào)范圍:XY方向18um,Z方向1.5um; | 3.可外接光源; |
4.4.細(xì)調(diào)分辨率:XY方向0.4nm,Z方向0.04nm; | 4.可外接光譜儀; |
產(chǎn)品選型
原位多場(chǎng)耦合樣品桿具有單傾、雙傾(JEOL)兩個(gè)版本;
澤攸科技提供適配Thermofisher/FEI(賽默飛)、JEOL(日本電子)、Hitachi(日立)各型號(hào)透射電子顯微鏡及極靴的不同型號(hào)樣品桿,支持定制。
國(guó)內(nèi)部分用戶
1、加熱芯片+電學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的原位加熱電學(xué)實(shí)驗(yàn);
2、加熱芯片+力學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的原位高溫力學(xué)實(shí)驗(yàn);
3、電學(xué)芯片+電學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的三端器件測(cè)量實(shí)驗(yàn);
4、電學(xué)芯片+光纖單元------->透射電鏡內(nèi)的電制發(fā)光現(xiàn)象研究;
5、電學(xué)芯片+光纖單元------->透射電鏡內(nèi)的原位光電現(xiàn)象研究。