化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>其它半導(dǎo)體行業(yè)儀器設(shè)備>少子壽命測(cè)試儀>MDPmap-1 MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x
MDPmap-1 MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x
| 參考價(jià) | ￥ 1000000 |
| 訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司
- 品牌 Freiberg Instruments
- 型號(hào) MDPmap-1
- 產(chǎn)地 德國(guó)
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/9/12 9:17:38
- 訪問(wèn)次數(shù) 1631
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MicroCT，顯微CT，微焦點(diǎn)CT，骨骼成像，顯微CT材料學(xué)檢測(cè)，微納顯微CT,X射線斷層掃描，TOC,元素檢測(cè)
MDPmap：
單晶和多晶硅片壽命測(cè)量設(shè)備用于復(fù)雜的材料研究和開(kāi)發(fā)。
特點(diǎn)：
◇ 靈敏度：高的靈敏度，用于可視化迄今為止不可見(jiàn)的缺陷和調(diào)查外延層的情況
◇ 測(cè)量速度：6英寸硅片<5min，分辨率為1mm
◇ 壽命范圍：20ns到幾十ms
◇ 污染測(cè)定：源于坩堝和設(shè)備的金屬（鐵）污染
◇ 測(cè)量能力：從切割好的硅片到加工的樣品
◇ 靈活性：固定的測(cè)量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)
◇ 可靠性：模塊化和緊湊型臺(tái)式儀器，可靠性更高，正常運(yùn)行時(shí)間>99%
◇ 重復(fù)性：> 99%
◇ 電阻率：電阻率測(cè)繪，無(wú)需頻繁校準(zhǔn)
技術(shù)規(guī)格:
樣品尺寸 | 直徑達(dá)300mm（標(biāo)準(zhǔn)臺(tái)），直徑達(dá)450mm（定制），*小為5 x 5mm |
壽命測(cè)量范圍 | 20ns至幾十ms以上 |
電阻率 | 0.2 - >103Ω·cm，p-型/n-型 |
樣品材料 | 硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導(dǎo)體及更多材料 |
可測(cè)量的特性 | 壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導(dǎo)率 |
激發(fā)波長(zhǎng) | 選擇從355nm到1480nm的*多四個(gè)不同波長(zhǎng)。980nm(默認(rèn)) |
尺寸規(guī)格 | 體積：680 x 380 x 450毫米；重量：約65公斤 |
電源 | 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A |
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x - 細(xì)節(jié)：
◇ 用于研發(fā)或生產(chǎn)監(jiān)控的靈活測(cè)繪工具◇ MDPmap被設(shè)計(jì)成一個(gè)緊湊的臺(tái)式非接觸電學(xué)表征工具，用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)（μ-PCD）下，在一個(gè)寬的注入范圍內(nèi)測(cè)量參數(shù)，如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品，包括外延層和經(jīng)過(guò)不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓。
◇ MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是它的高度靈活性，例如，它允許集成多達(dá)四個(gè)激光器，用于測(cè)量從較低到高的注入水平的壽命，或通過(guò)使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。包括偏置光設(shè)施，以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項(xiàng)?？梢杂貌煌牡貓D進(jìn)行客戶定義的計(jì)算，也可以輸出主要數(shù)據(jù)進(jìn)行進(jìn)一步評(píng)估。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)量任務(wù)，預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)只需按下一個(gè)按鈕就能進(jìn)行常規(guī)測(cè)量。
附加選項(xiàng)：
◇ 光斑大小的變化
◇ 電阻率測(cè)量（晶圓）
◇ 方塊電阻
◇ 背景/偏光
◇ 反射測(cè)量（MDP）
◇ 太陽(yáng)能電池的LBIC（擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)量）
◇ 偏壓MDP
◇ 參考晶圓
◇ 硅的內(nèi)部/外部鐵制圖
◇ 集成加熱臺(tái)
◇ 靈活的激光器配置
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x - 測(cè)量案例：
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鈍化多晶硅的壽命圖 | 多晶硅的鐵污染圖 |
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| 單晶硅的硼氧圖 | 單晶硅的缺陷密度圖 |
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| 碳化硅外延片（＞10μm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖（平均壽命τ=0.36μs） | |
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| 高阻硅片（＞10000Ω·cm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖 | |
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| 非鈍化硅外延片（20μm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖 | |
MDPmap 應(yīng)用：
鐵濃度測(cè)定
鐵的濃度的精確測(cè)定是非常重要的，因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的
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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測(cè)量
B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……
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陷阱濃度測(cè)定
陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對(duì)太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測(cè)量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
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注入相關(guān)測(cè)量
少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。
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