ZG SOI芯片光電探測(cè)器集成度高
參考價(jià) | ¥ 9999 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱(chēng) 四川梓冠光電科技有限公司
- 品牌 梓冠
- 型號(hào) ZG
- 產(chǎn)地 經(jīng)開(kāi)區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/8/1 8:57:49
- 訪問(wèn)次數(shù) 621
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延遲線、光開(kāi)關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測(cè)器、WDM準(zhǔn)直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準(zhǔn)直器、激光準(zhǔn)直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等
SOI芯片光電探測(cè)器陣列
SOI Chip-based Photodetector Array
SOI芯片式光電探測(cè)器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
〖性能指標(biāo)Specifications
參數(shù)指標(biāo) Parameters
| 單位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 備注 Notes |
波長(zhǎng)范圍 Wavelength range | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
| |||
暗電流 Dark current
| nA | 35 | 50 | ||
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth | GHz | 28 | |||
光飽和功率 Optical saturation power | mW | 10 | |||
響應(yīng)度 Responsibility | A/W | 0.8 | 0.85 | ||
90度光學(xué)混頻器損耗 90°mixer loss | dB | 6 | 6.5 | 6.7 | |
90度光學(xué)混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance | ° | 5 | |||
通道數(shù) Number of channels | 8或可定制 8 or Can be customized | ||||
光纖接入損耗 Insertion loss | dB | ≤0.5 | |||
偏振相關(guān)損耗 PDL | dB | ≤0.3 | |||
工作溫度范圍 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
工作濕度范圍 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 4(L)×5(W)×0.5(H) |
光電探測(cè)器集成度高
SOI芯片光電探測(cè)器集成度高
SOI芯片光電探測(cè)器集成度高