超大尺寸勻膠設(shè)備 M+/1500-Ｃ，主要用于完成基片光阻涂布工藝。設(shè)備可分別配置主軸旋轉(zhuǎn)裝置、 光阻供液系統(tǒng)（腔體清洗液）、排風(fēng)系統(tǒng)、上料裝置、控制部份等；設(shè)備具有如下特點(diǎn)： 占地面積相對(duì)較小，適應(yīng)范圍廣。 具備故障診斷，歷史記錄追憶功能。 操作界面簡捷，配方編制、儲(chǔ)存、編輯、調(diào)用靈活。 整機(jī)采用框架結(jié)構(gòu)，工作方式為手動(dòng)上下基片，自動(dòng)完成邊緣清洗工藝。 設(shè)備依 GB/T19001-2008 ；GB/T24001-2004；GB/T28001-2001；SEMI SⅡ標(biāo)準(zhǔn)制造。超大尺寸勻膠設(shè)備 M+/1500-Ｃ，主要用于完成基片光阻涂布工藝。設(shè)備可分別配置主軸旋轉(zhuǎn)裝置、 芯片潔凈室的溫度與濕度

潔凈空間的溫度和濕度(RH)主要根據(jù)工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的情況下，還要考慮舒適感。隨著空氣潔凈度要求的提高，對(duì)溫度和濕度的要求有越來越嚴(yán)格的趨勢。溫濕度可造成的危害：

由于加工精度越來越精細(xì)，所以溫度波動(dòng)范圍越來越小。例如，在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，要求作為掩模材料的玻璃和硅片的熱膨脹系數(shù)差異越來越小。直徑100um的硅片，溫度升高1度，會(huì)引起0.24um的線膨脹，所以必須有±0.1度的溫差，同時(shí)濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊沽?，產(chǎn)品會(huì)有污染，特別怕鈉的半導(dǎo)體車間，這個(gè)車間溫度不要超過25度。

半導(dǎo)體在溫度系數(shù)和電阻之間具有反比關(guān)系。加熱時(shí)，半導(dǎo)體電導(dǎo)增加，電阻降低。最外層的電子與材料化合物的原子核分離。隨著自由電子的增加，電阻相應(yīng)下降。在制造半導(dǎo)體時(shí)，將溫度保持在一定范圍內(nèi)至關(guān)重要，這樣成品芯片才能在其應(yīng)用中正常運(yùn)行。高濕度會(huì)導(dǎo)致更多問題。當(dāng)相對(duì)濕度超過55%時(shí)，冷卻水管壁會(huì)結(jié)露，在精密器件或電路中會(huì)引起各種事故。當(dāng)相對(duì)濕度為50%時(shí)，很容易生銹。

另外，當(dāng)濕度過大時(shí)，附著在硅片表面的灰塵會(huì)被化學(xué)吸附在表面而難以去除。相對(duì)濕度越高，附著物越難去除，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，由于靜電力的作用，顆粒很容易吸附在表面，大量的半導(dǎo)體器件容易發(fā)生故障。

總結(jié)起來即:靜電荷的積累;細(xì)菌生長;水分凝結(jié);金屬腐蝕;光刻問題。此外，濕度可能是潔凈室工作人員出汗的原因。如果潔凈室的環(huán)境太干燥，供應(yīng)包裝或標(biāo)簽上的殘留顆?？赡軙?huì)粘在手套(或其他表面)上。低于30%的濕度會(huì)給員工帶來很麻煩，可能會(huì)導(dǎo)致呼吸不適和皮膚破裂。

溫濕度的標(biāo)準(zhǔn):將相對(duì)濕度控制并保持在40%至60%之間溫度控制在22C-23C之間如何監(jiān)控并調(diào)節(jié)潔凈室的溫濕度

芯片潔凈室的溫濕度通常由專門的環(huán)境監(jiān)控系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)時(shí)測量和調(diào)整。這些系統(tǒng)通常包括溫濕度傳感器、數(shù)據(jù)記錄器和環(huán)境控制設(shè)備。溫濕度傳感器:這些傳感器被放置在潔凈室的關(guān)鍵位置，可以實(shí)時(shí)測量環(huán)境的溫度和濕度。這些傳感器通常使用電阻或電容的變化來測量溫濕度。例如，某些類型的溫度傳感器使用材料的電阻隨溫度變化的特性來測量溫度，而濕度傳感器使用材料的電容隨濕度變化的特性來測量濕度。