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電感耦合等離子體質(zhì)譜在半導(dǎo)體高純材料分析中的應(yīng)用
檢測(cè)樣品：半導(dǎo)體高純材料
檢測(cè)項(xiàng)目：痕量雜質(zhì)元素
方案概述：本文綜述了近十幾年來電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）在半導(dǎo)體行業(yè)高純材料分析方面的應(yīng)用，分別討論了IC硅片表面、光伏硅材料、三氯氫硅、四氯化硅、高純?cè)噭⒊兯?、高純氣等物質(zhì)中痕量雜質(zhì)元素的分析方法。
本文綜述了近十幾年來電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）在半導(dǎo)體行業(yè)高純材料分析方面的應(yīng)用，分別討論了 IC 硅片表面、光伏硅材料、三氯氫硅、四氯化硅、高純?cè)噭⒊兯?、高純氣等物質(zhì)中痕量雜質(zhì)元素的分析方法。
電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）是80 年代發(fā)展起來的新的檢測(cè)技術(shù)，已成為當(dāng)代蕞薔有力的元素分析手段之一，其以桌越的痕量分析能力，被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。對(duì)痕量分析要求最高的，莫過于在半導(dǎo)體工業(yè)中對(duì)高純材料的雜質(zhì)分析，本文對(duì)近十幾年來電感耦合等離子體質(zhì)譜在半導(dǎo)體工業(yè)高純材料方面的分析應(yīng)用做一綜述，分別討論了IC硅片表面、光伏硅材料、三氯氫硅、四氯化硅、高純?cè)噭⒊兯?、高純氣等物質(zhì)中痕量雜質(zhì)元素的分析方法。
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