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詳細摘要： Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...

詳細摘要： Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

詳細摘要： 二硫化鉛錫晶體 PbSnS2（Lead Tin Disulfide）晶體結構：六邊形類型：天然晶體尺寸：~8mm純度：99.995%屬性：半導體

詳細摘要： 制備方法：層間催化裂解法厚度：~2nm直徑：5~10um純度：98%含氧量：1.44%電導率：~2597 s/cm

詳細摘要： Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

詳細摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

詳細摘要： Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...

詳細摘要： Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

詳細摘要： Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

詳細摘要： 硫鹽礦物晶體 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶體結構：六邊形類型：合成尺寸：~8mm純度：99...

詳細摘要： Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes ...

詳細摘要： 三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,In...

詳細摘要： 三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細摘要： 三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細摘要： 三硫化鎳（磷摻雜）晶體（99.995%） NiPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細摘要： 硫磷化銅（銦摻雜）晶體（99.995%） CuInP2S6晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3...

詳細摘要： As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.

詳細摘要： Bismuth sulfide （Bi?S?） Developed at our facilities in the last five （5） years t...

詳細摘要： Bismuth Telluride Sulfide （Bi?Te?.?S?.?） is developed at our facilities.

詳細摘要： CuS is a member of metal chalcogenides （see our GaSe and GaTe products）.