晶體生長技術(shù)是利用物質(zhì)(液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài))的物理化學(xué)性質(zhì)控制相變過程，獲得具有一定結(jié)構(gòu)、尺寸、形狀和性能的晶體的技術(shù)。
現(xiàn)在，人工合成晶體應(yīng)用越來越廣泛，已經(jīng)成為國民經(jīng)濟(jì)和國防科技發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)。除了人們比較熟悉的水晶、寶石等裝飾用晶體之外，其他如激光晶體、半導(dǎo)體晶體、光電子晶體、非線性光學(xué)晶體、超導(dǎo)單晶、鐵電壓電晶體、金屬單晶材料等晶體材料的發(fā)展，為科學(xué)進(jìn)步和人類生活水平提高做出了巨大貢獻(xiàn)。
什么是布里奇曼法晶體生長技術(shù)？
Bridgeman布里奇曼法晶體生長技術(shù)是由Bridgeman早就在1925年提出的，是將預(yù)合成材料放入具有單向溫度梯度的生長爐內(nèi)緩慢地下降，熔融的原料在經(jīng)過溫度梯度區(qū)域后，熔體因?yàn)闇囟冉抵寥埸c(diǎn)以下而冷卻結(jié)晶，隨著坩堝的移動(dòng)，原料將結(jié)晶為整塊單晶體。布里奇曼晶體生長法經(jīng)過幾十年的發(fā)展和演變已日趨成熟，具有成本低、用途廣、適應(yīng)性強(qiáng)和設(shè)備簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，因而被廣泛用于晶體生長領(lǐng)域，尤其適用一致熔融，另外，預(yù)合成的原料密封在特制的坩堝內(nèi)，避免了原料的揮發(fā)和泄露，使晶體的成分容易控制，并且管內(nèi)可實(shí)線高真空，避免了氧氣等不確定反應(yīng)的發(fā)生。
Carbolite Gero在晶體生長設(shè)備領(lǐng)域有超過三十年的經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)布里奇曼晶體生長技術(shù)，專門研發(fā)了布里奇曼晶體生長爐，已在國內(nèi)外有很多成功的經(jīng)驗(yàn)和案例，助力很多實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)高質(zhì)量的單晶，推動(dòng)了化合物半導(dǎo)體，拓?fù)浣^緣體，凝聚態(tài)物理中熵合金高熵合金的晶體生長工作。
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