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更新時(shí)間:2024-11-20 11:58:11
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RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān)是適合高重復(fù)頻率激光應(yīng)用的RTP電光Q開關(guān)和RTP電光調(diào)制器,它采用了美國(guó)fastpulse公司1147系列RTP晶體,兼具KD*P和LiNb03兩種晶體材料的優(yōu)點(diǎn),并具有*優(yōu)勢(shì)無壓電效應(yīng)產(chǎn)生,適合高重復(fù)頻率應(yīng)用(zui大100KHz)。美國(guó)fastpulse公司RTP普克爾盒1147是高重復(fù)頻率光電調(diào)制器和Q開關(guān)的良好選擇,是*的RTP電光Q開關(guān)和RTP電光調(diào)制器。
RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān),有效光學(xué)波長(zhǎng)范圍為350-4300nm. 400-1100nm波段的透過率在鍍?cè)鐾改ず罂蛇_(dá)98.5%,目前我們標(biāo)準(zhǔn)的鍍膜是1064nm和700-900nm,其他波段的鍍膜也可根據(jù)用戶要求提供。
RTP普克爾盒和RTP電光Q開關(guān)的消光比在633nm時(shí)測(cè)得的數(shù)值是200:1,波長(zhǎng)畸變小于1/8波長(zhǎng)。RTP電光調(diào)制器在較寬的溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,RTP電光Q開關(guān)電光系數(shù)在10-50攝氏度的范圍內(nèi)受溫度影響很小。RTP電光調(diào)制器的激光損傷閾值大約為850MW/cm2 @10ns, 1064nm.對(duì)于激光脈沖的拾取/脈沖選通應(yīng)用而言,對(duì)于脈寬小于100皮秒的激光脈沖,損傷閾值大約為10GW/cm2.
我們提供的RTP普克爾盒和RTP電光Q開關(guān)的工作電壓與相同孔徑的KD*P和BBO普克爾的電壓稍低。
RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān)參數(shù)
型號(hào) | 1147-4 | 1147-6 | 1147-8 |
孔徑/直徑, mm | 3.5 | 5.5 | 7.5 |
半波延遲電壓,V @633nm @800nm @1064nm | 800 1100 1600 | 1200 1650 2400 | 1800 2475 3600 |
晶體材料 | RTP | ||
透過率 | >98% 400-1064nm | ||
消光比(全孔徑) | >200:1@633nm | ||
上升時(shí)間, 皮秒 | <350 | ||
電容,pf | <5 | ||
峰值損傷閾值 | 850MW/cm2<10ns, 10GW/cm2.<100ps @400-1300nm |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)