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          RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān)
          • RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān)
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          RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,是適合高重復(fù)頻率激光應(yīng)用的RTP電光Q開關(guān)和RTP電光調(diào)制器,它采用了美國(guó)fastpulse公司1147系列RTP晶體,兼具KD*P和LiNb03兩種晶體材料的優(yōu)點(diǎn),并具有*優(yōu)勢(shì)無壓電效應(yīng)產(chǎn)生,適合高重復(fù)頻率應(yīng)用(Z大100KHz)。美國(guó)fastpulse公司RTP普克爾盒1147是高重復(fù)頻率光電調(diào)制器和Q開關(guān)的良好選擇,是Z佳的RTP電光Q開關(guān)和RTP電光調(diào)制器。

          RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān)是適合高重復(fù)頻率激光應(yīng)用的RTP電光Q開關(guān)和RTP電光調(diào)制器,它采用了美國(guó)fastpulse公司1147系列RTP晶體,兼具KD*PLiNb03兩種晶體材料優(yōu)點(diǎn),并具有*優(yōu)勢(shì)無壓電效應(yīng)產(chǎn)生,適合高重復(fù)頻率應(yīng)用(zui大100KHz)。美國(guó)fastpulse公司RTP普克爾盒1147是高重復(fù)頻率光電調(diào)制器和Q開關(guān)的良好選擇,是*的RTP電光Q開關(guān)和RTP電光調(diào)制器。
          RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān),有效光學(xué)波長(zhǎng)范圍為350-4300nm. 400-1100nm波段的透過率在鍍?cè)鐾改ず罂蛇_(dá)98.5%,目前我們標(biāo)準(zhǔn)的鍍膜是1064nm700-900nm,其他波段的鍍膜也可根據(jù)用戶要求提供。
          RTP普克爾盒RTP電光Q開關(guān)的消光比在633nm時(shí)測(cè)得的數(shù)值是200:1,波長(zhǎng)畸變小于1/8波長(zhǎng)。RTP電光調(diào)制器在較寬的溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,RTP電光Q開關(guān)電光系數(shù)在10-50攝氏度的范圍內(nèi)受溫度影響很小。RTP電光調(diào)制器的激光損傷閾值大約為850MW/cm2 @10ns, 1064nm.對(duì)于激光脈沖的拾取/脈沖選通應(yīng)用而言,對(duì)于脈寬小于100皮秒的激光脈沖,損傷閾值大約為10GW/cm2.
          我們提供的RTP普克爾盒RTP電光Q開關(guān)的工作電壓與相同孔徑的KD*PBBO普克爾的電壓稍低。
          RTP晶體,進(jìn)口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關(guān)參數(shù)

          型號(hào)1147-41147-61147-8
          孔徑/直徑, mm3.55.57.5
          半波延遲電壓,V @633nm
                        @800nm
                        @1064nm
          800
          1100
          1600
          1200
          1650
          2400
          1800
          2475
          3600
          晶體材料RTP
          透過率>98% 400-1064nm
          消光比(全孔徑)>200:1@633nm
          上升時(shí)間, 皮秒<350
          電容,pf<5
          峰值損傷閾值850MW/cm2<10ns,    10GW/cm2.<100ps @400-1300nm


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