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貨物所在地:上海上海市
所在地: 歐洲
更新時間:2024-09-19 15:40:16
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這款高速EMCCD相機是一款具有較高成像采樣速度的多用途高速電子倍增CCD相機,具有光子計數(shù)級別的超高靈敏度,滿足太空和天文觀測,生命科學,物理學等微光成像應用。這款高速EMCCD相機具有電子倍增EMCCD相機的性能:幾乎沒有噪音并具有單光子計數(shù)級別的靈敏度,具有較快的成像速度和優(yōu)秀的圖像質量,適合低通量成像和微光成像。
高速EMCCD相機特點
具有良好的SNR信噪比
消除EMCCD相機固有的噪音,具有真是光子計數(shù)成像的能力
具有單光子計數(shù)能力的最大的EMCCD芯片圖像傳感器
低背景噪音和最大的電子倍增EM功能,增益高達5000
對于超弱光成像,可提供反向工作模式IMO優(yōu)化成像結果
大視場FOV,滿足各種應用需要
超高靈敏度,滿足低通量成像需要,
滿幅采樣成像速度高達90fps,讀取速率高達30MHz
超高電荷轉移效率支持超好的圖像質量
無噪音濾波算法提供較低的噪音,避免了消除真光電子的風險
可在EM電子倍增和傳統(tǒng)CCD之間轉換
多區(qū)域選擇功能mROI,可以只讓所選區(qū)域的CCD芯片工作,提高采用速度
高速EMCCD相機特色為您帶來的益處
相機的特色功能 | 給您帶來的益處 |
EM增益發(fā)呢我i1-5000 | 超低讀取噪音,提供了單光子探測級別的靈敏度 |
超低的時鐘誘發(fā)電荷CIC | 帶來最高信噪比SNR, 帶來低的背景噪音,提高圖像質量 |
真實光子計數(shù) | 電子倍增EM模式下可提供線性和光子計數(shù)模式 |
電荷轉移效率 | 更清晰的圖像,沒有像素泄露問題 |
良好的制冷表現(xiàn) | 帶來超低的可忽略的暗電流,良好的電荷轉移效率 |
高的量子效率 | 帶來最高的靈敏度,背向照明技術的EMCCD圖像傳感器 |
像素讀取速率更高 | 帶來最快的采樣成像速率 |
可選輸出 | 快速轉換傳統(tǒng)CCD相機和EMCCD相機模式 |
時間戳 | 每次采集高精度時間記錄 |
多區(qū)域選擇mROI | 可在探測器上選擇多個感興趣區(qū)域,提高采樣速度 |
Cropped-sensor模式 | 掩蓋部分探測器部分,獲得更快采樣速率 |
外部觸發(fā)模式 | 優(yōu)化控制采樣幀頻 |
高速EMCCD相機規(guī)格參數(shù)
傳感器型號 | HNU-512 | HNU-512-IS | HNU-512-HS |
最大成像速度 | 63fps | 63fps | 90fps |
EM通道讀取速率 | 10MHZ,20MHZ | 10MHZ,20MHZ | 20MHZ,30MHZ |
傳統(tǒng)CCD模式讀取速率 | 0.1MHz, 1.3MHz | 0.1MHz, 1.3MHz | 0.1MHz, 1.3MHz |
時鐘誘發(fā)電荷 | 0.0009電子/像素/幀 | 0.0009電子/像素/幀 | 0.002電子/像素/幀 |
動態(tài)范圍(數(shù)字化) | 16bits | 16bits | 16bits |
電子增益 | 1-5000 | 1-5000 | 1-5000 |
芯片上溫度穩(wěn)定性 | +/-0.01℃ | +/-0.01℃ | +/-0.01℃ |
最小空氣制冷溫度 | -85℃ | -60℃ | -60℃ |
最小液體制冷溫度 | -90℃ | -70℃ | -70℃ |
量子效率 | >90%@600nm | >90%@600nm | >90% @600nm |
EM注冊像素井深 | 800ke- | 800ke- | 800ke- |
光譜范圍 | 250-1100nm | 250-1100nm | 250-1100nm |
觸發(fā)功能 | 內部觸發(fā)或外部觸發(fā) 可選擇信號極性 | 內部觸發(fā)或外部觸發(fā) 可選擇信號極性 | 內部觸發(fā)或外部觸發(fā) 可選擇信號極性 |
曝光時間范圍 | 25ns~幾天 | 25ns~幾天 | 25ns~幾天 |
時間戳分辨率 | 4ns | 4ns | 4ns |
讀取噪音 | <0.1e-@20MHZ (EM模式) 3e-@100KHZ(傳統(tǒng)CCD) | <0.1e-@20MHZ(EM模式) 3e-@100KHZ(傳統(tǒng)CCD) | <0.1e-@20MHZ(EM模式) 3e-@100KHZ(傳統(tǒng)CCD) |
垂直時鐘速度 | EM: 0.3~5us 傳統(tǒng):0.3~5us | EM: 0.3~5us 傳統(tǒng):0.3~5us | EM: 0.3~5us 傳統(tǒng):0.3~5us |
暗電流 | 0.0001e-/像素/幀 | 0.0015e-/像素/幀 | 0.0015e-/像素/幀 |
電荷轉移效率 | >0.999993 | >0.999993 | >0.999993 |
單光子探測能力 (10MHz,EM增益5000時) | >91% | >91% | >91% |
成像面積 | 512x512像素 16um x 16um像素面積 8.19mm x 8.19mm 有效面積 | 512x512像素 16um x 16um像素面積 8.19mm x 8.19mm 有效面積 | 512x512像素 16um x 16um像素面積 8.19mm x 8.19mm 有效面積 |
數(shù)字化:16bits
EM電子倍增:1-5000
空氣最小制冷溫度:-80℃
液氮最小制冷溫度:-90℃
芯片溫度穩(wěn)定性:+/-0.01℃
量子效率:>90% @600nm
EM像素井深:800ke-
光譜范圍:250-1100nm
觸發(fā):內觸發(fā)或外觸發(fā)均可,可選信號極性
曝光時間范圍:25ns-數(shù)天
時間戳分辨率:4ns
讀取噪音:<0.1e-@20MHz (EM模式), 3e-@100KHz (傳統(tǒng)CCD模式)
垂直時鐘速度:1-10us (EM模式), 1-10us (傳統(tǒng)CCD模式)
暗電流:0.00007e-/像素/秒
電荷轉移效率:>0.999989
單光子探測能力:>91% (10MHz, EM增益5000時)
成像面積: 1024x1024像素, 13um x 13um, 13.3mm x 13.3mm (有效面積)
大視場EMCCD相機多區(qū)域選擇功能mROI