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更新時(shí)間：2024-09-11 11:26:59
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單晶多晶硅片壽命測(cè)試儀是專(zhuān)用為晶圓品質(zhì)檢驗(yàn),測(cè)量少子壽命,測(cè)量光電導(dǎo)率和電阻率等研發(fā)的晶圓壽命測(cè)試儀器。
單晶多晶硅片壽命測(cè)試儀MDPmap自動(dòng)識(shí)別樣品,參數(shù)設(shè)置可以使該儀器適應(yīng)各種樣品，包括從生長(zhǎng)的晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓之間不同制備階段的各種外延片和晶圓片。
單晶多晶硅片壽命測(cè)試儀具有高度的靈活性，它允許集成多達(dá)4臺(tái)激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測(cè)量，或者通過(guò)使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。
單晶多晶硅片壽命測(cè)試儀
靈敏度：對(duì)外延工藝監(jiān)控和不可見(jiàn)缺陷檢測(cè)，具有可視化測(cè)試的最高分辨率
測(cè)量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率 ，小于5分鐘
壽命測(cè)試范圍: 20納秒到幾十毫秒
沾污檢測(cè)：源自坩堝和生長(zhǎng)設(shè)備的金屬(Fe)污染
測(cè)量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品
靈活性：允許外部激光通過(guò)觸發(fā)器，與探測(cè)模塊耦合
可靠性： 模塊化和緊湊臺(tái)式儀器，更高可靠性，正常運(yùn)行時(shí)間> 99%
重現(xiàn)性： > 99.5%
電阻率：無(wú)需時(shí)常校準(zhǔn)的電阻率面掃描
單晶多晶硅片壽命測(cè)試儀規(guī)格參數(shù)
樣品尺寸 | 5~300mm（300mm為標(biāo)配，可根據(jù)需求提升至450mm） |
壽命范圍 | 20ns到幾毫秒 |
電阻率 | 0.2 - 10^3 Ohm cm P/N |
材質(zhì) | 硅晶圓，外延層，部分或*加工晶圓，化合物半導(dǎo)體等 |
測(cè)量屬性 | 少數(shù)載流子壽命,光電導(dǎo)性, μ-PCD/MDP (QSS) |
激勵(lì)源 | 可選四種不同波長(zhǎng)（355nm—1480nm），默認(rèn)980nm |
大小 | 680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg |
電源要求 | 100-250V，50/60 Hz, 5A |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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