SMC傳感器，F(xiàn)ESTO傳感器，SMC傳感器，F(xiàn)ESTO傳感器、39529839、39529830：單榮兵
技術密集是指FESTO傳感器在研制和制造過程中技術的多樣性、邊緣性、綜合性和技藝性。它是多種高技術的集合產物。由于技術密集也自然要求人才密集。投資密集是指研究開發(fā)和某種傳感器產品要求定的投資強度，尤其是在工程化研究以及建立規(guī)模經濟線時，更要求較大的投資。
產品、產業(yè)兩大分散
FESTO傳感器技術是現(xiàn)代科技的前沿技術，是現(xiàn)代信息技術的三大支柱之，其水平高低是衡量個科技發(fā)展水平的重要標志之。傳感器產業(yè)也是國內外*的具有發(fā)展前途的高技術產業(yè)，它以其技術含量高、經濟效益好、滲透能力強、市場前景廣等特點為世人矚目。 SMC傳感器，F(xiàn)ESTO傳感器，SMC傳感器，F(xiàn)ESTO傳感器、39529839、39529830：單榮兵
改革開放20多年來，我國的傳感器技術及其產業(yè)取得了長足進步，主要表現(xiàn)在：是建立了“傳感技術實驗室”、“微米/納米實驗室”、“傳感技術工程”等研究開發(fā)基地；二是MEMS、MOEMS等研究項目列入了高新技術發(fā)展；三是在“九五”科技攻關項目中，傳感器技術研究取得了51個品種86個規(guī)格的新產品；四是初步建立了敏感元件與傳感器產業(yè)，2000年總產量超過13億只，品種規(guī)格已有近6000種，并已在國民經濟各部門和國防建設中得到定應用；五是已有1688家企事業(yè)單位從事傳感器的研制、和應用，其中從事MEMS研制的已有50多家。目前全正在執(zhí)行“十五”計劃，MEMS等5項新型傳感器已列入研究開發(fā)的。
2004年上半年，產品產繼續(xù)增長，預計到“十五”期末，敏感元器件與傳感器年總產量可望達到20億只，銷售總額將達約120億元，從而初步形成儀器儀表中的經濟增長點。
特點：兩依附，兩密集，兩分散
傳感器技術及其產業(yè)的特點是：基礎、應用兩頭依附；技術、投資兩個密集；產品、產業(yè)兩大分散。
基礎、應用兩頭依附 SMC傳感器，F(xiàn)ESTO傳感器，SMC傳感器，F(xiàn)ESTO傳感器、39529839、39529830：單榮兵
基礎依附是指傳感器技術的發(fā)展依附于敏感機理、敏感材料、工藝設備和計測技術這四塊基石。敏感機理千差萬別，敏感材料多種多樣，工藝設備各不相同，計測技術大相徑庭，沒有上述四塊基石的支持，傳感器技術難以為繼。
應用依附是指傳感器技術基本上屬于應用技術，其開發(fā)多依賴于制成檢測裝置和自動控制系統(tǒng)加以應用，才能真正體現(xiàn)出它的高附加效益并形成現(xiàn)實市場。也即發(fā)展傳感器技術要以市場為導向，實行需求牽引。
技術、投資兩個密集
產品結構和產業(yè)結構的兩大分散是指傳感器產品門類品種繁多（共*類、42小類近6000個品種），其應用滲透到各個產業(yè)部門，它的發(fā)展既有各產業(yè)發(fā)展的推動力，又強烈地依賴于各產業(yè)的支撐作用。只有按照市場需求，不斷調整產業(yè)結構和產品結構，才能實現(xiàn)傳感器產業(yè)的全面、協(xié)調、持續(xù)發(fā)展。
面臨新挑戰(zhàn)和新機遇
傳感器產業(yè)面臨的挑戰(zhàn)來源于人類社會迫切要求改變信息攝取的落后現(xiàn)狀。傳感技術的落后已成為影響自動化業(yè)發(fā)展的瓶頸。
我國眾多自動化方面的專家呼吁：目前復雜系統(tǒng)越來越復雜，自動化已經陷入低谷，其主要原因之是傳感技術的落后，方面表現(xiàn)為傳感器在感知信息方面的落后；另方面也表現(xiàn)為傳感器自身在智能化和網絡化方面的技術落后。 、39529839、39529830：單榮兵
另外，分析儀器產業(yè)迫切需要新型傳感器。分析儀器是我國科技、經濟和社會持續(xù)發(fā)展的基礎，無論在工業(yè)過程控制、設施農業(yè)、生物醫(yī)學、環(huán)境控制、食品安全乃航空航天、*等域，均迫切需要各類新型傳感器作為信息攝取源的小型化、化、簡用化、家庭化（甚個人化）的新代分析儀器，實現(xiàn)更靈敏、更準確、更快速、更可靠地實時檢測，以迅速改變我國分析儀器的落后狀況。
而技術推動是加速傳感器技術發(fā)展的保證和機遇。幾十年來，以微電子技術為基礎，促進了傳感器技術的發(fā)展。未來10～20年，傳統(tǒng)硅技術將進入成熟期（預測為2014年～2017年）。屆時，φ300mm硅晶片將大量用于，使得硅的低成本制造技術和硅的應用技術將得到的發(fā)展，這無疑將為研制微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術保障。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術將直延續(xù)到2047年（即晶體管發(fā)明100周年）才趨于飽和（即達到芯片特征尺寸的極限）和衰退。而當前微電子技術仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎規(guī)律走下去，在盡力逼近傳統(tǒng)硅技術極限中，不斷擴展硅的跨學科橫向應用（如MEMS等）和突破“非穩(wěn)態(tài)物理器件”（量子、分子器件），而上述微電子技術發(fā)展中的兩大方向正是當前乃未來20年傳感器技術的主要發(fā)展方向。
同時，多學科、多種高新技術的交叉融合，推動了新代傳感器的誕生與發(fā)展。例如：當前我國正在開發(fā)的MEMS（微電子與微機械的結合）、MOMES（MEMS與微光學的結合）、智能傳感器（MEMS與CPU、信息控制技術的結合）、生物化學傳感器（MEMS與生物技術、電化學的結合）等以及今后將大力開發(fā)的網絡化傳感器（MEMS網絡技術的結合）、納米傳感器（納米技術與傳感技術的結合）均是多學科、多種學科技術交叉融合的新代傳感器。、39529839、39529830：單榮兵
FESTO傳感器系列型號如下：
傳感器    161361L502 CPV-M1H-5JS-1/8  
氣缸       ADVU-20-20-P-A   FESTO
氣缸       AEVU-16-10-P-A 156936-U-508 1.3bar-10bar   
氣缸       AEVU-16-10-P-A 157212-U-408 1.3bar-11bar    
堵頭       B-1/4     
堵頭       B-1/8      F
電磁閥    CPV10-MIH-5KS-M7 161414      
面板式安裝壓力表       FMA-63-10-1/4-EN      
分氣塊    FR-4-1/2-B    
分氣塊    FR-4-3/8-B    
單向節(jié)流閥    GRA-1/4-B    
單向節(jié)流閥    GRLA-1/8-B  
單向節(jié)流閥    GRLA-3/8-B  
單向節(jié)流閥    GRLZ-1/8-B  
節(jié)流閥    GRO-1/8-B    
單向閥    H-1/4-B  
旋轉式手柄閥       H-3-1/4-B      
氣控單向閥    HGL-1/2-B    
二位五通雙線電磁閥    JMFH-5-1/4-B 19789    
雙電控電磁閥       JMFH-5-1/8  
減壓閥    LR-1/4-D-7-MINI
減壓閥    LR-1/4-D-MINI     、39529839、39529830：單榮兵
減壓閥    LRP-1/4-10   
減壓閥    LRS-1/4-D-7-MINI     
電磁閥    MCH-3-1/2 9981 R102
電磁閥    MCH-3-1/4    
電磁閥    MCH-3-1/8    
電磁閥    MFH-3-1/4-S
電磁閥    MFH-5-1/4    
電磁閥    MFH-5-1/4-S-B    
24VDC電磁閥線圈      MSFG-24/42-50/60-0D34411     
選擇開關       N-22-SW      
氣路板    PAL-1/8-6    
快速排氣閥    SEU-1/4
快速排氣閥    SEU-1/8
基本法    SV-3-M5
消聲器    U-1/4     
消聲器    U-1/8-B  
消聲器    U-M5     
氣控閥    VL0-3-1/4     
氣控閥    VL-5-1/4
空心螺栓       VT-1/8  
空心螺帽       VTM-1/8、39529839、39529830：單榮兵