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        1. 杭州太昊科技有限公司
          中級(jí)會(huì)員 | 第15年

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          濺射鍍應(yīng)用及工作原理

          時(shí)間:2009/10/31閱讀:10309
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          濺射鍍應(yīng)用及工作原理

          磁控濺射鍍膜設(shè)備:

              磁控濺射鍍膜設(shè)備是一種多功能、率的鍍膜設(shè)備??筛鶕?jù)用戶要求配

          置旋轉(zhuǎn)磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈沖疊加式偏壓電源等,

          組態(tài)靈活、用途廣泛,主要用于金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷等)的工件鍍鋁、

          銅、鉻、鈦金、銀及不銹鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜,所鍍膜層均勻、

          致密、附著力強(qiáng)等特點(diǎn),可廣泛用于家用電器、鐘表、工藝美術(shù)品、玩具、車(chē)燈

          反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層。

           

              a旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜機(jī);旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜技術(shù),是國(guó)內(nèi)外的磁控濺射鍍膜技術(shù),靶材利用率達(dá)到7080%

          以上,基體鍍膜均勻,色澤一致。

              b平面磁控濺射鍍膜機(jī);

              c中頻磁控濺射鍍膜機(jī);

              d射頻磁控濺射鍍膜機(jī)。

              可以在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不銹鋼及金屬反應(yīng)物(氧化

          物、氮化物、炭化物)、半導(dǎo)體金屬及反應(yīng)物。所鍍膜層均勻、致密、附著力好等特點(diǎn)。

          一、    單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機(jī)

              該鍍膜機(jī)主要用于各種燈飾、家電、鍾表、玩具以及美術(shù)工藝等行業(yè),在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)等

          制品鍍制鋁、銅、鉻、鈦、鋯、不銹鋼等系列裝飾性膜層。

           

          技術(shù)指標(biāo):

              真空室尺寸:可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成單室或雙室或多室

              極限壓力:8×10-4Pa

              恢復(fù)真空度時(shí)間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa  38min(根據(jù)用戶要求定)

              工作真空度:101.0× 10-1Pa

              工藝氣體進(jìn)入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀)

              轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架

              濺射源:矩形平面濺射源(14個(gè))/柱狀濺射源(1個(gè))/混合濺射源

              可以選配:基片烘烤裝置;反濺射清洗

           

          二、單室/雙室/多室磁控反應(yīng)濺射鍍膜機(jī)

              該鍍膜機(jī)主要用于太陽(yáng)能吸熱管所需要的鍍膜涂層(如Al—N/AlCu—C/1Cr18Ni9Ti);轎車(chē)后視鏡鍍膜

          (藍(lán)玻);裝飾仿金、七彩鍍膜;透明導(dǎo)電膜(ITO膜);保護(hù)膜。

           

          技術(shù)指標(biāo):

              真空室尺寸:可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成單室或雙室或多室

              極限壓力:8×10-4Pa

              恢復(fù)真空度時(shí)間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa  15min(根據(jù)用戶要求定)

              工作真空度:101.0× 10-1Pa

              工藝氣體進(jìn)入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀)

              工作氣路:2路或3

              轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架

              濺射源:矩形平面濺射源(14個(gè))/柱狀濺射源(1個(gè))/混合濺射源

            

           三、多功能鍍膜機(jī)

           

             設(shè)備基本配置:

                        真空室

                        工件轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)

                        真空抽氣系統(tǒng)

                        工作氣體供氣系統(tǒng)

             濺射系統(tǒng):平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統(tǒng)

             轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)

             控制系統(tǒng)

             冷卻系統(tǒng)

          技術(shù)指標(biāo):

              真空室尺寸:φ600×800 φ850×1000  φ1000×1200 φ1100×1500      可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成箱式

              極限壓力:8×10-4Pa

              恢復(fù)真空度時(shí)間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa  15min(根據(jù)用戶要求定)

              工作真空度:101.0× 10-1Pa

              工藝氣體進(jìn)入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀)

              工作氣路:2路或4

              轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架

              濺射源:矩形平面濺射源(14個(gè))/柱狀濺射源(1個(gè))/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源

          用途:本設(shè)備應(yīng)用磁控濺射原理,在真空環(huán)境下,在玻璃、陶瓷等非金屬;半導(dǎo)體;金屬基體上制備各種金屬膜、合金膜、反應(yīng)化合物膜、介質(zhì)膜等等。

           

          四、實(shí)驗(yàn)系列磁控濺射鍍膜機(jī)

            技術(shù)指標(biāo):

               真空室:φ450×400

               極限壓力:5×10-5Pa

               工作壓力:11.0× 10-2Pa

               真空系統(tǒng)主泵:渦輪分子泵

               陰極靶數(shù)量:25個(gè)

               工作氣體控制:質(zhì)量流量控制器,自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀

               工作氣路:2路或4

               靶電源:直流磁控濺射源(10000W),

          中頻電源(10000W),

          射頻電源(2000W)。

               工件轉(zhuǎn)動(dòng):行星式公自轉(zhuǎn)

               工件負(fù)偏壓:/

            性能特點(diǎn):磁控靶數(shù)量多,靶材種類(lèi)變化大,各種參數(shù)變化范圍大,所鍍制膜層有金屬、合金、化合物,可鍍制單層或多層膜。

            

          五、中頻磁控濺射鍍膜機(jī)

              中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)是磁控技術(shù)另一新里程碑,是鍍制化合物(氧化物、氮化物、碳化物)系膜的理想設(shè)備,

          *克服了靶打弧和中毒現(xiàn)象,并具濺射速率快、沈積速率高等優(yōu)點(diǎn),適合鍍制銦錫合金(ITO)、氧化鋁(AL2O3

          、二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)等,配置多個(gè)靶及膜厚儀,可鍍制多種多層膜或合金膜層。

           

          六、射頻磁控濺射鍍膜機(jī)

              

          具有濺射速率高,能鍍?nèi)魏尾牧希▽?dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)材料)。在低氣壓下等離子體放電,膜層致密,針孔少。

          主要技術(shù)參數(shù) 

          真空室尺寸:F500´450mm

          極限真空度:優(yōu)于4´10- 4 Pa 3´10- 6Torr   

                靶: F 100mm磁控濺射源三只濺

          射功率: 直流5千瓦,射頻2千瓦 

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