當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> GEST-201-半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀
[供應(yīng)]GEST-201-半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀 返回列表頁
貨物所在地:北京北京市
產(chǎn)地:北京市昌平區(qū)
更新時間:2024-07-14 21:00:06
有效期:2024年7月14日 -- 2025年1月14日
已獲點(diǎn)擊:102
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貨物所在地:北京北京市
產(chǎn)地:北京市昌平區(qū)
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有效期:2024年7月14日 -- 2025年1月14日
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產(chǎn)品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀
一、產(chǎn)品概述
儀器采用了*電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
二、儀器構(gòu)成:
1、 高精度電阻率測試儀
3、 測試探頭
高精度電阻率測量儀:
1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴(kuò)展)
1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;
2.1量程0.01mV-2000 mV
2.3 精度:±0.1% ;
3、恒流源:
3.2電流誤差:±0.5%
三坐標(biāo)測試移動品臺:
2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM
四探針測試電極:
上位機(jī)軟件測量成像系統(tǒng)
2、 測量點(diǎn)數(shù):可以設(shè)定
4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像
——按照IEC60405的要求進(jìn)行降雨和噴鹽霧。——將絕緣子放置距5000W盜弧燈約48cm以內(nèi)就可達(dá)到模擬太陽輻射。注:為了引用方便,各條款號與本標(biāo)準(zhǔn)正文相同。相同設(shè)計、材料和工藝情況下,只進(jìn)行一次。依次在至少800mm長的3只試品上進(jìn)行。-陡波前沖擊電壓:兩個電極間的距離為500mm;
無擊穿,依次在至少800mm長的6只試品上進(jìn)行。沒有破壞、沒有*抽出。2只試品,爬電距離在484mm至693mm之間。電壓:1kV每34.6mm的爬電距離,不超過3次過流中斷,沒有起痕,沒有擊穿,沒有蝕損至芯棒。注:對在惡劣的環(huán)境條件下使用的絕緣子,由用戶和制造廠協(xié)議可采用兩種供選擇的試驗程序。10只試品,6只試品,無擊穿,無閃絡(luò),5只試樣,依次在絕緣距離不小于800mm的4只試品上進(jìn)行。注:本項試驗進(jìn)行與否,以及試驗電壓和接受的干水平,由相關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或供需雙方協(xié)議規(guī)定。無破壞,無裂紋或裂紋未達(dá)到芯棒。陡波前沖擊電壓,兩電極間相隔500mm,正負(fù)極性各25次外部閃絡(luò)。在下表D.1中綜合給出所有試驗及其次序和試品數(shù)量。
表E.1給出了本標(biāo)準(zhǔn)與IEC1992技術(shù)性差異及其原因的一覽表。5.1.4.2陡度由“不小于1000kV/橢”修改為'陡度不小于1000kV/Ms但上限不超過5。陡度應(yīng)該有范圍,以便調(diào)整波形;對于整只正常生產(chǎn)的產(chǎn)品的爬電比距大于20mm/kV時,試驗電壓應(yīng)經(jīng)供需雙方協(xié)議確定
半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀
半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀
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