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          InP晶體基片
          • InP晶體基片
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          貨物所在地:安徽合肥市

          更新時間:2024-07-11 21:00:05

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          磷化銦(InP)晶體基片


          產(chǎn)品名稱:

          磷化銦(InP)晶體基片


          技術(shù)參數(shù):

          單晶

          InP

          摻雜

          None;Sn;S;Fe:Zn

          硬度

          3.0莫氏硬度

          密度4.78 g/cm3

          導電類型

          N;N;N;Si;P

          折射率3.45

          載流子濃度cm-3

          1-2x1016     1-3x1018
          1-4x1018     .6-4x1018

          位錯密度cm-2

          <5x104

          生長方法

          LEC

          溫度1072℃

          彈性模量

          7.1E11dyn  Cm-2

          產(chǎn)品規(guī)格:

          標準尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,單拋;

                    <100>, 10x10x0.5mm,單拋;

          表面粗糙度Ra:<15A

          注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

          標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋封裝


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