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          FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

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          • FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

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          • 所在地 深圳市

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          更新時間:2024-08-17 20:08:07瀏覽次數(shù):1712

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          產(chǎn)品簡介

          FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝


          FT838MBD五星能效5V2A充電器IC

          FT838MBD 10W充電器方案

          五能效充電器適配器主控芯片F(xiàn)T838MBD

          應(yīng)用:充電器

          功率:5V/2A

          詳細(xì)介紹

          FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

          FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

          FT838MBD五星能效5V2A充電器IC

          FT838MBD 10W充電器方案

          五能效充電器適配器主控芯片F(xiàn)T838MBD

          應(yīng)用:充電器

          功率:5V/2A

          輸入電壓范圍:90~264V

          輸出電壓/電流:5V/2A

          尺寸:45.3*36.9mm

          典型效率:79%

          EMI:Pass

          空載待機功耗:<120mw

          zui大輸出紋波:&lt;80mvp-p

          方案名稱:FT838MBD_5V/2A

          產(chǎn)品優(yōu)勢:

          1. 高效率>=78.7% @115V/230V

          2. 低待機功耗&lt;120mw

          3. 輸出紋波噪音低&lt;80mv

          4. 內(nèi)置MOS,DIP8封裝,IC溫升低,外圍元件少,成本低

          5. 在五星能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量。

          深圳代理(索取更多方案資料技術(shù)及樣品提供)

          聯(lián) 系 人 :孫蘭

          地  址 : 深圳市福田區(qū)振華路47號家樂大廈四樓B3

          電  話:/      

          企 業(yè) 2850187696

          特色概述

           電壓輸入范圍(90Vac~264Vac)

           高效率

           Efficiency &ge; 78.65% @115Vac/230Vac

           低待機功耗

           &lt; 120mW

           輸出紋波噪音低

           &lt;80mV

           輸出短路保護

           輸出過流保護

           的容性負(fù)載啟機特性

           在5 能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量

           內(nèi)置功率MOS,DIP-8 封裝,IC 溫升低;外圍元件簡潔,成本低。

           

          1 簡介

          FT838MBD_5V 2.0A 是款寬電壓輸入(90Vac~264Vac),具有高效率,高性價比

          的充電器適配器方案。

           

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