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近日,德國(guó)SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐(HKZ系列)分別在中國(guó)科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)順完成了安裝調(diào)試。
光學(xué)浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)工藝具有無(wú)需坩堝、無(wú)污染、生長(zhǎng)快速、易于實(shí)時(shí)觀察晶體生長(zhǎng)狀態(tài)等諸多點(diǎn),有于縮短晶體的研究周期并加快難以生長(zhǎng)晶體的研究進(jìn)展,非常適合晶體生長(zhǎng)研究,近年來(lái)備受關(guān)注,現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于各種超導(dǎo)材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長(zhǎng)。
圖1:現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)
圖2:現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)
目前,高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料的浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)是大棘手問(wèn)題,德國(guó)SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功地克服了這技術(shù)難題。HKZ可提供高達(dá)3000℃以上的生長(zhǎng)溫度,晶體生長(zhǎng)腔大壓力可達(dá)300bar。HKZ的誕生進(jìn)步化了光學(xué)浮區(qū)法單晶爐的生長(zhǎng)工藝條件,使得高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料的單晶生長(zhǎng)成為了可能。
圖3:德國(guó)SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐
德國(guó)SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐技術(shù)色:
◆ 能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)大壓力300bar大氣壓(選配)和大溫度>3000℃(選配);
◆ 能夠分別立控制不同氣體的流速和流量,能夠?qū)崿F(xiàn)樣品生長(zhǎng)的氣體定速定量混合反應(yīng);
◆ 在保持燈泡輸出功率恒定的情況下,采用調(diào)節(jié)光闌(shutter)的方式對(duì)熔區(qū)進(jìn)行控溫,從而能夠有效延長(zhǎng)燈泡使用壽命;
◆ 能夠針對(duì)不同溫度需求采用不同功率的燈泡,從而對(duì)燈泡進(jìn)行有效用,大化燈泡使用效率和壽命;
◆ 擁有豐富的功能選件可進(jìn)行選擇和拓展,包括熔區(qū)紅外測(cè)溫選件、大1×10-5mbar的真空選件、實(shí)現(xiàn)氧含量達(dá)10-12PPM的氣體除雜選件、對(duì)長(zhǎng)成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件。
圖4:德國(guó)SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐原理示意圖
Quantum Design 團(tuán)隊(duì)在中國(guó)科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)進(jìn)行的德國(guó)SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐(HKZ系列)的安裝調(diào)試工作受到了客戶和制造商的*。我們也祝愿廣大Quantum Design用戶科研順!
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