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臺(tái)式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
臺(tái)式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD是為制備高質(zhì)量的石墨烯與碳納米管而開(kāi)發(fā)的高性能臺(tái)式CVD系統(tǒng)。在與諾獎(jiǎng)科研團(tuán)隊(duì)的長(zhǎng)期合作中獲得的豐富經(jīng)驗(yàn)使該系列產(chǎn)品具有非常高的性能。別是針對(duì)石墨烯、碳納米管等不同的應(yīng)用進(jìn)行了針對(duì)性的化。該系列產(chǎn)品操作簡(jiǎn)便，生長(zhǎng)條件控制準(zhǔn)確，生長(zhǎng)迅速、制備出的樣品具有高質(zhì)量、高可重復(fù)性，這些點(diǎn)使得該系列產(chǎn)品受到多個(gè)石墨烯研究團(tuán)隊(duì)的贊譽(yù)。該系列產(chǎn)品適合于想要制備高質(zhì)量石墨烯或碳納米管用于前沿學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。例如，埃克塞大學(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)這些的高校均是nanoCVD系列的用戶(hù)。
nanoCVD采用全新的設(shè)計(jì)理念，可以快速、高質(zhì)量地生產(chǎn)石墨烯或碳納米管。與傳統(tǒng)的簡(jiǎn)易CVD(管式爐)相比，該系統(tǒng)基于冷壁設(shè)計(jì)方案，具有以下主要點(diǎn):
◎ 系統(tǒng)可以快速的升溫和降溫。
◎ 更加準(zhǔn)確的條件控制和可靠的工藝重現(xiàn)性。
◎ 安全性設(shè)計(jì)，具有尾氣稀釋模塊。
◎ 智能化設(shè)計(jì)，全自動(dòng)引導(dǎo)式觸屏操作系統(tǒng)。
◎ 支持自動(dòng)程序的設(shè)定與儲(chǔ)存。
◎ 雄厚的技術(shù)積累，業(yè)的技術(shù)支持。
設(shè)備型號(hào)：
臺(tái)式超高質(zhì)量石墨烯快速制備CVD系統(tǒng)- nanoCVD 8G
nanoCVD-8G系統(tǒng)是性能穩(wěn)定的快速的石墨烯生長(zhǎng)系統(tǒng)。nanoCVD-8G具有壓強(qiáng)自動(dòng)控制系統(tǒng)，可以準(zhǔn)確的控制石墨烯生長(zhǎng)過(guò)程中的氣氛條件。系統(tǒng)采用低熱容的樣品臺(tái)可在2分鐘內(nèi)升溫至1000℃并準(zhǔn)確控溫。該裝置采用了冷壁技術(shù)，樣品生長(zhǎng)完畢后可以快速降溫。正是因?yàn)檫@些條件可以讓用戶(hù)在30分鐘內(nèi)即可獲得高質(zhì)量的石墨烯。用戶(hù)通過(guò)HMI觸屏進(jìn)行操作，所有的硬件都是自動(dòng)化的。更有內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)石墨烯生長(zhǎng)示例程序供用戶(hù)參考。該系統(tǒng)安裝迅速，非常適合需要持續(xù)快速獲取高質(zhì)量石墨烯用于高質(zhì)量學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)等很多著名的高校都是該系統(tǒng)的用戶(hù)。
主要點(diǎn)：
◎ 合成高質(zhì)量、可重復(fù)的石墨烯 ◎ 生長(zhǎng)條件準(zhǔn)確控制 ◎ 高達(dá)溫度：1100 °C ◎ 生長(zhǎng)時(shí)間：<30 min ◎ 基片尺寸大：20 × 40 mm2 ◎ 全自動(dòng)過(guò)程控制 ◎ MFC流量計(jì)控制過(guò)程氣體 (Ar、H2與CH4) ◎ 用戶(hù)友好型觸屏控制 ◎ 可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長(zhǎng)程序 ◎ 可連接電腦記錄數(shù)據(jù) ◎ 易于維護(hù) ◎ 全面安全性設(shè)計(jì)，尾氣稀釋模塊 ◎ 兼容超凈間 ◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定
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部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：
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小型等離子增強(qiáng)大尺寸石墨烯制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD WPG
nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質(zhì)量石墨烯生長(zhǎng)的功能與等離子體增強(qiáng)技術(shù)相結(jié)合，系統(tǒng)可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統(tǒng)準(zhǔn)確的生長(zhǎng)控制條件可以制備多種高質(zhì)量的2D材料，該系統(tǒng)是小型CVD系統(tǒng)性能上的個(gè)重大飛躍。全新的設(shè)計(jì)方案和控制系統(tǒng)使該系統(tǒng)成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。
應(yīng)用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲(chǔ)能材料。
主要點(diǎn)：
生長(zhǎng)條件： ◎ 襯底：Cu、Ni等薄膜或薄片 ◎ 工作原料：CH4，C2H4， PMMA等 ◎ 保護(hù)氣體：H2，Ar，N2等
典型配置指標(biāo)： ◎ 腔體：腔壁水冷技術(shù)，熱屏蔽不銹鋼腔體 ◎ 真空系統(tǒng)：分子泵系統(tǒng)，5×10-7 mbar本底真空。 ◎ 樣品臺(tái)：大4英寸直徑，高達(dá)1100°C ◎ 操作控制：觸摸屏/電腦接口；可手動(dòng)控制或自動(dòng)控制 ◎ 氣體控制：MFC 流量計(jì)，Ar，CH4，H2為標(biāo)配種類(lèi)。 ◎ 過(guò)程控制：自動(dòng)控制 ◎ 等離子源：150 W/13.56 MHz RF 電源，樣品臺(tái)附近或需要的位置產(chǎn)生等離子體。 ◎ 安全性：冷卻與真空鎖系統(tǒng)，氣體稀釋模塊。 |
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臺(tái)式超準(zhǔn)碳納米管快速制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD 8N
nanoCVD-8N與石墨烯生長(zhǎng)系統(tǒng)nanoCVD-8G有諸多共同之處，并針對(duì)碳納米管生長(zhǎng)條件進(jìn)行了化。這些條件對(duì)于碳納米管(CNT)樣品的質(zhì)量和可重復(fù)性(主要是單壁形式)是至關(guān)重要的。創(chuàng)新的冷壁式腔體與傳統(tǒng)管式設(shè)備相比更易準(zhǔn)確控制實(shí)驗(yàn)條件和快速升降溫。nanoCVD-8N具有智能的控制系統(tǒng)和完備的安全性設(shè)計(jì)。設(shè)備易于安裝，易于使用，是快速進(jìn)入高質(zhì)量研究的理想選擇。該系統(tǒng)獲得沃里克大學(xué)用戶(hù)的高度贊譽(yù)。
碳納米管可采用Fe、Co、Ni的納米顆粒作為催化劑生長(zhǎng)在SiO2/Si, Si3N4以及石英等襯底上。
通過(guò)襯底與催化劑的選擇，可以生長(zhǎng)的碳納米管有：
• 隨機(jī): 隨機(jī)方向的相互交疊的單壁碳納米管
• 有序: 平行的單壁碳納米管
• 豎直: 豎直的單壁碳納米管束
主要點(diǎn)：
◎ 合成的碳納米管具有很高的可重復(fù)性； ◎ 門(mén)為單壁碳納米管進(jìn)行了化； ◎ 生長(zhǎng)條件準(zhǔn)確控制； ◎ 高達(dá)溫度：1100 °C； ◎ MFC流量計(jì)控制過(guò)程氣體 (Ar、H2與CH4)； ◎ 基片尺寸：大20 × 40 mm2； ◎ 生長(zhǎng)時(shí)間：<30 min； ◎ 全自動(dòng)生長(zhǎng)條件準(zhǔn)確控制； ◎ 用戶(hù)友好型觸屏； ◎ 可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長(zhǎng)程序 ◎ 可連接電腦記錄數(shù)據(jù)； ◎ 易于維護(hù)； ◎ 全面安全性設(shè)計(jì)，尾氣稀釋模塊； ◎ 兼容超凈間； ◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定； |
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部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：
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發(fā)表文章
Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應(yīng)用襯底上的濕轉(zhuǎn)移工藝會(huì)導(dǎo)致材料的微量污染。這些純度會(huì)對(duì)石墨烯的其他殊性產(chǎn)生不影響，并對(duì)電子和光電應(yīng)用產(chǎn)生影響。
相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉(zhuǎn)移到纖維上，*生產(chǎn)出柔韌的、*嵌入的紡織電。石墨烯的高質(zhì)量意味著電有超低的表面電阻和高的機(jī)械穩(wěn)定性。
相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的勢(shì)，并報(bào)道了使用nanoCVD – 8G制備的高質(zhì)量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現(xiàn)出半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)，這與剝離制備的樣品相當(dāng)。
相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
用nanoCVD – 8N技術(shù)制備了單壁碳納米管，并用電化學(xué)技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了研究。高分辨率的測(cè)量可以檢查單個(gè)單壁碳納米管的性。這發(fā)現(xiàn)對(duì)未來(lái)使用SWNT電的器件設(shè)計(jì)具有重要意義。
相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
電化學(xué)技術(shù)，結(jié)合使用nanoCVD - 8N技術(shù)產(chǎn)生的單壁碳納米管，被用來(lái)證明即使在沒(méi)有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現(xiàn)出顯著的活性。
相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N
用戶(hù)單位
?？巳髮W(xué) |
哈德斯菲爾德大學(xué) |
萊頓大學(xué)
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亞琛工業(yè)大學(xué) |
