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MIRA3掃描電鏡配備有高亮度肖特基電子槍，以獲得高分辨及低噪聲成像。MIRA3 為用戶提供優(yōu)秀的掃描電鏡使用體驗，擁有更快的圖像采集速度，超快速的靜態(tài)和動態(tài)圖像畸變補償掃描系統(tǒng)以及用戶自定義內(nèi)置應(yīng)用程序腳本等。

MIRA3掃描電鏡MIRA3 高束流下優(yōu)異的分辨率非常有利于 EDS、WDS 及 EBSD 成分分析。借助優(yōu)化的電子束減速技術(shù) ( BDT ) 使得低著陸電壓下的成像能力進(jìn)一步增強。MIRA3 有 LM、XM 和 GM三種優(yōu)化幾何設(shè)計的樣品室尺寸可供選擇，同時可選擇高/低真空操作環(huán)境。

突出特點

• 配置高亮度肖特基電子槍，實現(xiàn)高分辨率，大束流及低噪聲成像；
• 中間透鏡（IML）技術(shù)和 Wide Field Optics™光路相配合，可提供多種工作和顯示模式，如大視野模式和景深模式；
• 實時電子束追蹤技術(shù)(In-Flight Beam Tracing™)可實現(xiàn)性能及電子束的實時優(yōu)化，同時可直接控制電子束及束流的連續(xù)調(diào)節(jié)。電子束減速技術(shù) ( BDT ) 在低電壓下具有優(yōu)異分辨率；
• 通過強大的 In-Beam 探測器可實現(xiàn)短工作距離下的優(yōu)異成像（選配）；
• 所有的 MIRA3 倉室均配備優(yōu)異的 5 軸全自動優(yōu)中心樣品臺(compucentric stage)同時擁有 EDS 和 EBSD 分析所需的理想幾何結(jié)構(gòu)設(shè)計；

• 可選配帶有強大樣品臺的超大樣品室（XM、GM），可檢測大樣品 (如6", 8", 12")晶圓；
• 優(yōu)化幾何設(shè)計的眾多接口，可用于接入 EDS、WDS、EBSD 以及其他探測器；
• 可變真空模式適用于非導(dǎo)電樣品研究；
• 多樣可選擇的減震方式可有效降低實驗室環(huán)境振動的影響；
• 無畸變 EBSD 花樣。