分光光度計(jì)分析法是基于不同分子結(jié)構(gòu)的物質(zhì)對電磁輻射選擇性吸收而建立的分析方法。
應(yīng)用電磁輻射波譜區(qū)通常在200nm~800nm為。
采用微處理機(jī)控制技術(shù),在紫外可見光譜區(qū)域內(nèi)對物質(zhì)作定性、定量分析,是常規(guī)實(shí)驗(yàn)室*的多用途分析儀器。
成都756N特點(diǎn):
采用*全息閃耀光柵單色器,具有波長精度高,單色性好,雜散光低等優(yōu)點(diǎn)。
超大屏幕帶背光液晶顯示器,測量數(shù)據(jù)一目瞭覽
采用微機(jī)測量系統(tǒng),T-A轉(zhuǎn)換精度高,并有自動調(diào)0%T和調(diào)100%T,濃度因子設(shè)定、濃度直讀。
測量讀數(shù)準(zhǔn)確性高,重現(xiàn)性好和穩(wěn)定性佳。
可選配串行打印機(jī)和與軟件UVWin7配合使用,拓展儀器的使用功能。
UVWin7軟件包(另購)。
成都756N主要技術(shù)指標(biāo):
波長范圍;200nm~1000nm
波長zui大允許誤差:±2nm
波長重復(fù)性:≤1nm
透射比zui大允許誤差:±0.5%(T)(以NBS930D測定)
透射比重復(fù)性:≤0.2%(T)
光譜帶寬:4nm
雜散光:≤0.3%(T)(在220nm處,以NaI測定,在360nm處,以NaNO2測定)
穩(wěn)定性:暗電流漂移:0.2%(T)/3min 亮電流漂移:0.5%(T)/3min
其它:
儀器尺寸和重量:500mm×350mm×190mm 14kg