目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>沉積系統(tǒng)>> 感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子 |
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ICP-CVD 感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD）是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質(zhì)量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應(yīng)速率較高等優(yōu)點(diǎn)。
SYSKEY感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備的ICP-CVD可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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| 配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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