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          目錄:上海皆準(zhǔn)儀器設(shè)備有限公司>>橡膠塑料專用檢儀器>>電壓電流電阻測(cè)試儀>> GDAT-A高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀

          高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀
          • 高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀
          參考價(jià) 16800
          訂貨量 ≥1臺(tái)
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          16800
          ≥1臺(tái)
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào) GDAT-A
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
          • 所在地 上海市
          屬性

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          更新時(shí)間:2024-11-22 17:48:11瀏覽次數(shù):4037評(píng)價(jià)

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          應(yīng)用領(lǐng)域 化工,電子,交通,汽車,電氣
          GDAT-A高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀由S916測(cè)試裝置(夾具)、高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件(裝入Q表中的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。

          一、概述

          介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

          二、測(cè)試原理

          GDAT-A高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至ZUI低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

          三、滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

           

          儀器組成:

          GDAT-A高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀由S916測(cè)試裝置(夾具)、高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件(裝入Q表中的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國(guó)際電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的最佳解決方案。本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。通過(guò)數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗(tanδ)。

           

          主機(jī)Q表技術(shù)參數(shù):

          Q標(biāo)規(guī)格

          Q表1

          標(biāo)配默認(rèn)出貨

          Q表2

          Q表3

          信號(hào)源

          DDS數(shù)字合成信號(hào)

          DDS數(shù)字合成信號(hào)

          DDS數(shù)字合成信號(hào)

          頻率范圍

          10KHZ-70MHz

          10KHZ-100MHz

          100KHZ-160MHz

          信號(hào)源頻率精度

          1×10-6 ±1

          3×10-5 ±1   

          3×10-5 ±1  

          Q測(cè)量范圍

          1-1023自動(dòng)/手動(dòng)

          1-1023自動(dòng)/手動(dòng)

          1-1023自動(dòng)/手動(dòng)

          Q值量程分檔

          30 100 300 1000 自動(dòng)換擋或手動(dòng)換擋

          30 100 300 1000 自動(dòng)換擋或手動(dòng)換擋

          30 100 300 1000 自動(dòng)換擋或手動(dòng)換擋

          電感范圍

          4.5NH-10MH

          4.5NH-10MH

          1nH-140mH

          主電容調(diào)節(jié)范圍

          30-500pF

          30-540pF

          主電容17-240pF

          電容直接測(cè)量范圍

          1-460pF

          1-460pF

          1pF~25nF

          調(diào)諧電容誤差分辨率

          ±1.5 pF 150PF以下;150PF以上±1%

          ±1.5 pF 150PF以下; 150PF以上±1%

          ±1.5 pF 150PF以下;150PF以上±1%

          Q合格指示預(yù)置功能范圍

          5-1000

          5-1000

          5-1000

          Q量程切換

          自動(dòng)/手動(dòng)

          自動(dòng)/手動(dòng)

          自動(dòng)/手動(dòng)

           

          測(cè)試裝置(夾具)技術(shù)參數(shù):

          本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品,園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí),由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。

          測(cè)試裝置規(guī)格

          固體:材料測(cè)量直徑 Φ50mm/Φ38mm 可選;厚度可調(diào) ≥ 15mm (二選一)  

          液體:測(cè)量極片直徑 Φ38mm; 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm(選配)

           

           

          LKI-1電感組技術(shù)參數(shù)

          電感No

          電感量

          準(zhǔn)確度%

          Q值≥

          分布電容約略值

          諧振頻率范圍 MHz

          適合介電常數(shù)測(cè)試頻率

          Q表1/2

          Q表3

          1

          0.1μH

          ±0.05μH

          200

          5pF

          20~70

          31~103

          50MHz

          2

          0.5μH

          ±0.05μH

          200

          5pF

          10~37

          14.8~46.6

          15MHz

          3

          2.5μH

          ±5%

          200

          5pF

          4.6~17.4

          6.8~21.4

          10MHz

          4

          10μH

          ±5%

          200

          6pF

          2.3~8.6

          3.4~10.55

          5MHz

          5

          50μH

          ±5%

          200

          6pF

          1~3.75

          1.5~4.55

          1.5MHz

          6

          100μH

          ±5%

          200

          6pF

          0.75~2.64

          1.06~3.20

          1MHz

          7

          1mH

          ±5%

          150

          8pF

          0.23~0.84

          0.34~1.02

          0.5MHz

          8

          5mH

          ±5%

          130

          8pF

          0.1~0.33

          0.148~0.39

          0.25MHz

          9

          10mH

          ±5%

          90

          8pF

          0.072~0.26

          0.107~0.32

          0.1MHz

           


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