優(yōu)勢SICK傳感器GTE10-P4212*
SICK成立于1946年，公司名稱取自于公司創(chuàng)始人歐文·西克博士（Dr. Erwin Sick）的姓氏，總公司位于德國西南部的瓦爾德基爾希市（Waldkirch）。其中包括，用于自動化識別傳統(tǒng)條碼和二維條碼的*方案，提供物流系統(tǒng)中物品識別能力的無線射頻識別系統(tǒng)，以及用于高度、形狀、體積測量的可調(diào)校激光測量系統(tǒng)等。

德國*施克傳感器，維特銳集團，金華總經(jīng)銷~

壓電式壓力傳感器原理基于壓電效應。壓電效應是某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時，其內(nèi)部會產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時在它的兩個相對表面上出現(xiàn)正負相反的電荷。當外力去掉后，它又會恢復到不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應。當作用力的方向改變時，電荷的極性也隨之改變。

當在電介質(zhì)的極化方向上施加電場，這些電介質(zhì)也會發(fā)生變形，電場去掉后，電介質(zhì)的變形隨之消失，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應。壓電式壓力傳感器的種類和型號繁多，按彈性敏感元件和受力機構的形式可分為膜片式和活塞式兩類。膜片式主要由本體、膜片和壓電元件組成。壓電元件支撐于本體上，由膜片將被測壓力傳遞給壓電元件，再由壓電元件輸出與被測壓力成一定關系的電信號。這種傳感器的特點是體積小、動態(tài)特性好、耐高溫等。

現(xiàn)代測量技術對傳感器的性能出越來越高的要求。
例如用壓力傳感器測量繪制內(nèi)燃機示功圖，在測量中不允許用水冷卻，并要求傳感器能耐高溫和體積小。壓電材料適合于研制這種壓力傳感器。石英是一種非常好的壓電材料，壓電效應就是在它上面發(fā)現(xiàn)。比較有效的辦法是選擇適合高溫條件的石英晶體切割方法,例如XYδ（+20°～+30°）割型的石英晶體可耐350℃的高溫。而LiNbO3單晶的居里點高達1210℃，是制造高溫傳感器的理想壓電材料。

SICK傳感器現(xiàn)貨型號如下：

GL10-P1211
GL10-P1212
GL10-P4212
GL10-N1211
GL10-N1212
GL10-N4212
GL10-N1551
GL10G-P4252
GL10G-N1252
GL10-R3711
GL10-R3712
GL10-R3812
GSE10-P4111

GL6-N4111
GL6-P1111
GL6-N1111
GTE6-P4211
GTE6-N4211
GTE6-P1211
GTE6-N1211
GL6-P4112
GL6-N4112
GL6-P1112
GL6-N1112
GTE6-P4212
GTE6-N4212
GTE6-P1212

溫度范圍：0至100攝氏度，四位數(shù)字顯示，通過按鍵設定操作簡單，四個切換繼電器、切換點及切換回復點的設定互不干擾，模擬輸出信號可選擇（4至20mA或0至10V）。

溫度傳感器
測量范圍:-25..100℃
耐壓可達600bar
標準輸出信號4..20mA
ETS4144-A-000

2點溫度開關量并帶1路模擬量輸出
2點溫度開關
1點溫度開關帶1路模擬量輸出
3位數(shù)字顯示

溫度傳感器
測量范圍:-25..100℃
耐壓可達600bar
標準輸出信號4..20mA

壓電式壓力傳感器原理基于壓電效應。壓電效應是某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時，其內(nèi)部會產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時在它的兩個相對表面上出現(xiàn)正負相反的電荷。當外力去掉后，它又會恢復到不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應。當作用力的方向改變時，電荷的極性也隨之改變。相反，當在電介質(zhì)的極化方向上施加電場，這些電介質(zhì)也會發(fā)生變形，電場去掉后，電介質(zhì)的變形隨之消失，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應。壓電式壓力傳感器的種類和型號繁多，按彈性敏感元件和受力機構的形式可分為膜片式和活塞式兩類。膜片式主要由本體、膜片和壓電元件組成。壓電元件支撐于本體上，由膜片將被測壓力傳遞給壓電元件，再由壓電元件輸出與被測壓力成一定關系的電信號。這種傳感器的特點是體積小、動態(tài)特性好、耐高溫等?，F(xiàn)代測量技術對傳感器的性能出越來越高的要求。

例如用壓力傳感器測量繪制內(nèi)燃機示功圖，在測量中不允許用水冷卻，并要求傳感器能耐高溫和體積小。壓電材料適合于研制這種壓力傳感器。石英是一種非常好的壓電材料，壓電效應就是在它上面發(fā)現(xiàn)。比較有效的辦法是選擇適合高溫條件的石英晶體切割方法,例如XYδ（+20°～+30°）割型的石英晶體可耐350℃的高溫。而LiNbO3單晶的居里點高達1210℃，是制造高溫傳感器的理想壓電材料。以上信息版權歸上海維特銳所有，如需詳細了解請點擊：德國SICK傳感器系列