金屬氧化物/磷化銦/赫賽汀修飾載有量子點修飾四氧化三鐵Fe3O4-QDs
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赫賽汀修飾的載有量子點/四氧化三鐵的磁性熒光二氧化硅納米粒的制備方法:
本發(fā)明提供的一種赫賽汀修飾的載有量子點/四氧化三鐵的磁性熒光二氧化硅納米粒的制備方法是:首先制備多面體低聚倍半氧硅烷(POSS)共軛的量子點,隨后用二氧化硅球包覆POSS共軛的量子點,然后將Br-IO共軛到QD-SiNP的外層,最后將赫賽汀共軛到IO-QD-SiNP上,最終得到了赫賽汀修飾的載有量子點/四氧化三鐵的磁性熒光二氧化硅納米粒.該方法制備的復合納米粒具有熒光,磁性和靶向功能,有望用于體內(nèi)和體外生物成像方面更多的應用.
硫醇類化合物界面修飾磷化銦量子點提高電致發(fā)光器件性能的方法:
在ITO基板上依次制備電子傳輸層,磷化銦量子點發(fā)光層,界面修飾層,空穴傳輸層,空穴注入層及金屬陽極;所述界面修飾層為硫醇類化合物界面修飾層;所述硫醇類化合物包括含有硫醇基團的烷烴或芳香族化合物.本發(fā)明采用硫醇類化合物對磷化銦量子點發(fā)光層進行界面修飾,鈍化其薄膜表面缺陷,增強其穩(wěn)定性,有利于提升磷化銦量子點器件的電流效率和亮度,推動磷化銦量子點器件在下一代顯示和照明領域的應用.
相關(guān)內(nèi)容
RGD肽修飾包載超順磁性四氧化三鐵納米粒 RGD-Fe3O4
CRGD修飾超順磁性四氧化三鐵納米粒 CRGD-Fe3O4
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