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蝕刻、洗滌溶液比重、濃度在線監(jiān)測(cè)儀 MZ-EW-ON-LINE
適用于:氯化鐵、氯化銅蝕刻槽、碳酸鈉水溶液、鹽酸及雙氧水混合溶液、氫氧化鈉水溶液洗滌槽等工業(yè)制程的溶液比重、濃度控制場(chǎng)所。
原理:參考GB/T611、T2423、T22230、T5009、ISO 6353、758規(guī)范。應(yīng)用流體靜力學(xué)浮力
法、流體力學(xué)Bernoulli 原理在線監(jiān)測(cè)蝕刻、洗滌溶液的比重變化。再應(yīng)用Lagrange
內(nèi)插法轉(zhuǎn)換蝕刻、洗滌溶液的濃度。監(jiān)測(cè)在線溶液濃度的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)。
功能:
緩沖裝置TP-30 *的設(shè)計(jì),*符合流體;
靜力學(xué)原理,讓測(cè)量數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。
規(guī)格:
型號(hào): | MZ-EW-ONLINE |
比重范圍: | 0.0001~2.0000(玻璃砝碼) |
測(cè)試種類: | S.G、C% |
比重精度: | 0.0001 |
濃度范圍: | 0.1%~100.0% |
標(biāo)準(zhǔn)接口: | RS-232 |
技術(shù)數(shù)據(jù):
1、 碳酸鈉水溶液可將膜面上未受光照的區(qū)域顯影去除。
2、 鹽酸及雙氧水混合溶液可將裸露出來(lái)的銅箔腐蝕去除,形成線路。
3、 氫氧化鈉水溶液是強(qiáng)電解質(zhì),可將功成身退的干膜光阻洗除。
4、 印制電路中蝕刻速率降低與溶液比重、氯化銨的含量(濃度)有關(guān)。
5、 蝕刻液中的氯離子濃度過(guò)高,將造成印制電路中金屬抗蝕鍍層被浸蝕。
6、 蝕刻液中的氯化鈉含量過(guò)低,將造成印制電路中銅表面發(fā)黑,蝕刻不動(dòng)。
操作說(shuō)明:
1、 此設(shè)備將主機(jī)置放在一個(gè)容易操作的平臺(tái)上,主機(jī)前方裝設(shè)取樣槽。
2、 待測(cè)液體經(jīng)由取樣槽內(nèi)的進(jìn)出孔進(jìn)出,透過(guò)取樣槽內(nèi)感應(yīng)球的浮力變化自動(dòng)顯出液體的比重值。
3、 透過(guò)連續(xù)的動(dòng)作即可完成在線蝕刻、洗滌溶液比重的測(cè)量與監(jiān)控。并轉(zhuǎn)換讀取在線蝕刻、洗滌溶液濃度的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)。
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