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          行業(yè)產(chǎn)品

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          [供應(yīng)]FIRST SENSOR 四象限光電二極管/陣列
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          • FIRST SENSOR 四象限光電二極管/陣列
          貨物所在地:
          四川成都市
          產(chǎn)地:
          德國(guó)
          更新時(shí)間:
          2021-02-22 21:00:12
          有效期:
          2021年2月22日 -- 2021年8月22日
          已獲點(diǎn)擊:
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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介

          FIRST SENSOR提供的四象限光電二極管是由一個(gè)四激活區(qū)域的芯片組成,主要應(yīng)用于位置傳感,包括:激光束,自動(dòng)準(zhǔn)直儀,其它對(duì)準(zhǔn)裝置.

          詳細(xì)介紹

           

           FIRST SENSOR公司 四象限光電二極管/陣列
           四象限探測(cè)器(QP)
           
          成都光馳科技供應(yīng)四象限探測(cè)器(QP),由小間隙隔開的四個(gè)有效探測(cè)區(qū)域組成。四象限探測(cè)器應(yīng)用廣泛,包括:激光光束的位置測(cè)量、其它需要精確調(diào)整的光學(xué)系統(tǒng)。

          Quadrant photodiodes (low dark current)
          Type No.
          Active area
          Dark current
          Rise time
          Chip
          Package
          Size
          Area
          10V
          850nm 10V 50Ω
          mm
          mm2
          nA
          ns
          QP1-6
          TO52
          Ø 1.13
          1
          0.1
          10
          QP5-6
          TO5
          Ø 2.52
          5
          0.2
          10
          QP5.8-6
          TO5
          2.4x2.4
          5.8
          0.4
          20
          QP10-6
          TO5
          Ø 3.57
          10
          0.4
          15
          QP20-6
          TO8S
          Ø 5.05
          20
          1
          20
          QP50-6
          TO8S
          Ø 7.8
          50
          2
          40
          QP100-6
          LCC10S
          Ø11.2
          100
          4
          50
          Quadrant photodiodes (fully depletable)
          Type No.
          Active area
          Dark current
          Rise time
          Chip
          Package
          Size
          Area
          10V
          905nm 10V 50Ω
          mm
          mm2
          nA
          ns
          QP100-7
          LCC10
          10x10
          4x25
          0.5
          50
          Quadrant photodiodes (for 1064nm)
          Type No.
          Active area
          Dark current
          Rise time
          Chip
          Package
          Size
          Area
          150V
          1064nm 150V 50Ω
          mm
          mm2
          nA
          ns
          QP22-Q
          TO8S
          Ø 5.3
          4x5.7
          1.5
          5
          QP45-Q
          TO8S
          6.7x6.7
          4x10.96
          3
          5
          QP154-Q
          TO1032i
          Ø 14.0
          4x38.5
          10
          6

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