PILATUS3 X 面陣混合光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
1、產(chǎn)品特點(diǎn):
PILATUS3 混合像素探測(cè)器可以為要求苛刻的同步輻射應(yīng)用提供更好的探測(cè)表現(xiàn)。在新一代產(chǎn)品中,PILATUS系列X射線探測(cè)器已經(jīng)達(dá)到了好的水平成熟度和穩(wěn)定性。改進(jìn)的PILATUS3系列探測(cè)器采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)讀出集成電路(ASIC)即時(shí)再觸發(fā)技術(shù),其可以避免癱瘓性誤計(jì)數(shù),同時(shí)其可以增強(qiáng)高計(jì)數(shù)率情況下的表現(xiàn),減少讀出時(shí)間,并獲得更準(zhǔn)確的計(jì)數(shù)率。PILATUS3即時(shí)再觸發(fā)技術(shù)客服了以前的光子計(jì)數(shù)探測(cè)器固有的計(jì)數(shù)率低的限制。PILATUS3系列光子計(jì)數(shù)探測(cè)器是我們一直以來(lái)不斷完善單光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的努力結(jié)晶。的數(shù)據(jù)質(zhì)量和快速的數(shù)據(jù)采集是PILATUS探測(cè)器系統(tǒng)的主要優(yōu)點(diǎn)。的數(shù)據(jù)質(zhì)量是通過(guò)各種*的特征來(lái)實(shí)現(xiàn)的:不存在讀出噪聲和暗電流,尖銳的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù),并且高達(dá)20比特(~100萬(wàn)個(gè)計(jì)數(shù))的高動(dòng)態(tài)范圍和計(jì)數(shù)器深度。目前先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成電路(ASIC)和讀出電子學(xué)設(shè)計(jì)能夠保證快速的數(shù)據(jù)獲取。PILATUS3現(xiàn)在的標(biāo)準(zhǔn)配置為450微米的硅傳感器,以此提高量子效率。所有PILATUS3 M系統(tǒng)出了包括探測(cè)服務(wù)器之外,還包含一臺(tái)計(jì)算機(jī),以此確保高速率穩(wěn)定的數(shù)據(jù)采集而不需要用戶額外增加計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
2、核心優(yōu)勢(shì):
–計(jì)數(shù)率高達(dá)每像素每秒1千萬(wàn)計(jì)數(shù)
–幀速率高達(dá)50Hz,即每秒鐘可以采集500張圖像
–讀出時(shí)間僅為0.95毫秒
–單光子計(jì)數(shù)模式中的直接探測(cè)X射線
–無(wú)讀出噪聲
–無(wú)暗電流
–20位無(wú)溢出計(jì)數(shù)器
3、應(yīng)用領(lǐng)域:PILATUS3 X 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
–生物大分子晶體學(xué)(MX)
–單晶衍射(SCD)
–表面衍射
–連貫的X射線成像
–時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn)
–小角散射與廣角散射(SAXS/WAXS)
–X射線衍射(XRPD)
4、技術(shù)參數(shù):PILATUS3 X 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
PILATUS3 X | 100K-A | 200K-A | 300K | 300K-W | 1M | 2M | 6M |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 1 × 1 | 1 × 2 | 1 x 3 | 3 x 1 | 2 x 5 | 3 x 8 | 5 x 12 |
有效面積:寬×高 [mm²] | 83.8 × 33.5 | 83.8 × 70.0 | 83.8 x 106.5 | 253.7 × 33.5 | 168.7 × 179.4 | 253.7 × 288.8 | 423.6 x 434.6 |
像素大小 [μm²] | 172×172 |
總像素?cái)?shù)量,水平x垂直 | 487 × 195 | 487 × 407 | 487 × 619 | 1475 × 195 | 981 × 1043 | 1475 × 1679 | 2463 x 2527 |
間隙寬度, 水平/垂直(像素) | 0 | - / 17 | - / 17 | 7 / - | 7/17 | 7/17 | 7/17 |
非靈敏區(qū) [ % ] | 0 | 4.3 | 5.5 | 0.9 | 7.2 | 8.0 | 8.5 |
缺陷像素 | < 0.03% |
幀頻,滿幀 [Hz] | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 250 | 100 |
幀頻,ROI [Hz] | - | - | - | - | 500 | 500 | 500 |
讀出時(shí)間 [ms] | 0.95 |
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel(FWHM) |
閾值能量 [keV] | 3.5 - 18 | 3.5 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 |
計(jì)數(shù)器深度 | 20 bits(1,048,576 counts) |
功耗[W] | 30 | 30 | 36 | 36 | 165 | 250 | 580 |
尺寸(WHD)[mm³] | 156x115x284 | 156x155x284 | 158x193x262 | 280x62x296 | 265x286x455 | 384x424x456 | 590x603x455 |
重量 [kg] | 4.5 | 5.4 | 7.5 | 7.0 | 25 | 46 | 92 |
模塊冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 |
電子冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 |
標(biāo)準(zhǔn)配置 | 450微米 硅傳感器 |
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探測(cè)器選項(xiàng) | 1000微米 硅傳感器 |
迷你PPU, L or XL | 迷你PPU, L or XL | 迷你PPU, L or XL | 迷你PPU, L or XL | PPU L or XL | PPU L or XL | PPU L or XL |
— | — | 真空兼容320微米硅傳感器 | | — | — | — |