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詳細摘要：塑料巖石介電常數(shù)測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀生廠商 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：絕緣材料介質(zhì)損耗介電常數(shù)測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：絕緣材料介電常數(shù)測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)相對電容率測試儀工作原理本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù) 產(chǎn)品型號：gdat-a所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介質(zhì)損耗角測量儀工頻 BQS-37a型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時，與R4橋臂并聯(lián)，測量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過輔橋的輔助平衡，消除寄生參數(shù)對電橋平衡的影響。 產(chǎn)品型號：BQS-37A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 北廣公司核心技術(shù)由北廣公司嚴格組建 并有專業(yè)的儀器美工專注外觀設(shè)計 從儀器的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后等 *承建企業(yè)體系 。并且研發(fā)更的試驗控制儀器 控制方式*升級 現(xiàn)研發(fā)的微機控制儀器、控制方式采用無線藍牙*技術(shù) 并且可選用 232 / USB/亞太局域網(wǎng)絡(luò)端口，已是全國* * 產(chǎn)品型號：GDAT-a所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：絕緣材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀： ◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測試。 ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。 ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：塑料介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗測試儀 1．Q值測量 a．Q值測量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×1 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)和介質(zhì)損耗一體測試儀裝置： 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：1．Q值測量 a．Q值測量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔； c．標稱誤差 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz10MHz～160MHz 固 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：陶瓷塑料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀實驗原理: 介電體（又稱電介質(zhì)）Z基本的物理性質(zhì)是它的介電性，對介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義，而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機理的重要分析手段之一，探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料，對電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)（又稱電容率）是反映材料特性的重要參量，電介質(zhì)極化能力越強，其介電常數(shù)就越大。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測試。 本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。 絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。 同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：材料高頻介電常數(shù)測定儀 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營產(chǎn)品：絕緣強度耐電壓擊穿試驗儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強度試驗儀
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