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| 測量速度 | 2min | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 單次測量時間 | 2s | 光斑尺寸 | 50 μmmm |
| 光譜范圍 | 190 nm - 1700 nmnm | 膜厚測量準(zhǔn)確度 | ±1.0至NIST可追溯標(biāo)準(zhǔn)氧化物100至兩個1μmnm |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,電子,綜合 | 光源 | 調(diào)節(jié)氘鹵素?zé)?/td> |
Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE
——用于IC器件開發(fā)和制造的先進(jìn)多模薄膜計量學(xué)
FilmTek™ 6000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE先進(jìn)的多模薄膜計量系統(tǒng)在1x nm設(shè)計節(jié)點和更高的位置為廣泛的薄膜層提供生產(chǎn)驗證的薄膜厚度、折射率和應(yīng)力測量監(jiān)測。該系統(tǒng)能夠在新一代集成電路的生產(chǎn)過程中實現(xiàn)更嚴(yán)格的過程控制，提高器件產(chǎn)量，并支持下一代節(jié)點技術(shù)的開發(fā)。
制造1x nm的先進(jìn)IC器件需要使用高度均勻的復(fù)合膜。能夠監(jiān)測非常薄的薄膜的計量工具，通常在多層膜堆疊中（例如，高k和氧化物-氮化物-氧化物膜），使制造商能夠保持對膜構(gòu)建過程的嚴(yán)格控制。此外，一些工藝，如多重圖案化，會導(dǎo)致薄膜厚度的梯度，必須對其進(jìn)行監(jiān)控，以獲得佳器件性能（例如，注入損傷和低k薄膜）。不幸的是，現(xiàn)有的計量工具依賴于傳統(tǒng)的橢偏測量或反射測量技術(shù)，其檢測這些應(yīng)用的薄膜梯度變化的能力有限。
為了克服這些挑戰(zhàn)，F(xiàn)ilmTek 6000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE將光譜橢圓偏振儀和DUV多角度極化反射儀與寬光譜范圍相結(jié)合，以滿足與多圖案和其他前沿器件制造技術(shù)相關(guān)的需求。該系統(tǒng)采用我們多角度差分偏振（MADP）和差分功率譜密度（DPSD）技術(shù)，可獨立測量薄膜厚度和折射率，顯著提高其對薄膜變化的靈敏度，尤其是多層堆疊中的變化。這種組合方法對于用于復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)的超薄和厚膜疊層都是理想的。
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