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當前位置：上海明策電子科技有限公司> 供求商機> 半導體晶體生長測溫儀
溫度范圍：300°C 至 3300°C 之間；
模擬輸出：0 至 20 mA 或 4 至 20 mA 可切換，負載 0 至 500 Ohm，測試電流 10 mA（按下測試鍵）；
曝光時間極短；
光斑尺寸極??；
存儲值大。
核心優(yōu)勢IGAR 12-LO
- 在高溫/高壓/電磁場等環(huán)境中，只放進一個測溫鏡頭，通過光纖傳輸光信號，可大程度的減少了環(huán)境的干擾項，保證測量的準確無誤
- 測溫范圍全覆蓋（300~2500℃）
- 高精度，可精確讀數(shù)到0.5%+1℃
- 極短的響應時間（2ms）
- 極小的光斑尺寸（最小為0.45mm）
- 光纖探頭耐溫高達250℃（Maurer為150℃）
- 診斷功能
- 雙色/單色、0/4-20mA、RS232/RS485均可切換
可解決問題
還原爐應用中，需多點位測溫，有的點位位置較高對準目標比較困難。
需透視窗測量反應物。建議使用近紅外短波測溫。
直拉法應用中，一般集成于內部溫控系統(tǒng)，安裝空間有限。建議使用分體光纖式設備。
升溫過程中，材料狀態(tài)可能發(fā)生變化，導致發(fā)射率隨之發(fā)生變化導致測溫失準。建議使用雙色測溫儀
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