| 高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀（生產(chǎn)用） 型號(hào)：KDKLT-1B | 貨號(hào)：ZH8203 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介: τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配數(shù)字示波器 用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)的重要檢測(cè)項(xiàng)目。 設(shè)備組成 1.光脈沖發(fā)生裝置: 重復(fù)頻率>25次/s 脈 寬>60μｓ 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μｓ 紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A 如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源 2.高頻源: 頻 率：30MHz低輸出阻抗 輸出功率>1W 放大器和檢波器: 頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz 3.配用示波器： 配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。 測(cè)量范圍： 可測(cè)硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米） 壽命值的測(cè)量范圍：5～6000μｓ（微秒） |  |
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