金屬氧化物半導體在空氣中被加熱到定溫度時，氧原子被吸附在帶負電荷的半導體表面，半導體表面的電子會被轉(zhuǎn)移到吸附氧上，氧原子就變成了氧負離子，同時在半導體表面形成個正的空間電荷層，導致表面勢壘升高，從而阻礙電子流動。

小流量氮氣發(fā)生器廠排名 產(chǎn)品介紹：
Anyan品氮氣發(fā)生器是種*的氣體分離技術(shù)，以韓膜分離空氣制取高純度的氮氣，空氣經(jīng)壓縮機壓縮過濾后進入高分子膜過濾器，由于各種氣體在膜中溶解度和擴散系數(shù)不同，導致不同氣體在膜中相對滲透速率不同，在定壓力條件下，利用氧和氮等不同性質(zhì)的氣體在膜中具有不同的滲透速率來使氧和氮分離。和其它制氮設(shè)備相比它具有結(jié)構(gòu)為簡單、體積小、無切換閥門、維護量少、產(chǎn)氣快(≤3分鐘)、增容方便等優(yōu)點。

小流量氮氣發(fā)生器廠排名產(chǎn)品特征：
1. 韓膜分離，純度高，使用壽命長，無耗材換
2. 內(nèi)置專頁除水分離器，確保吸附劑的使用壽命長
3. 三獨力過濾系統(tǒng)，顆 粒<0.01um&0.003mg/m³，確保機器產(chǎn)氣連續(xù)性
4. 氮氣純度顯示，可清晰觀察機器產(chǎn)氮氣的純度，精度高
5. 內(nèi)置壓縮機，無需外配，且采用懸空隔音系統(tǒng)，噪音小
6. 雙重壓力值可調(diào)系統(tǒng)，操作簡單方便

技術(shù)參數(shù)：