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ICP等離子刻蝕
NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統(tǒng)概述:是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果??蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。
NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統(tǒng)主要特點:
配置內容:
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