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        1. 深圳維爾克斯光電有限公司
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          BATOP反射鏡和長通濾光片

          參  考  價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

          產(chǎn)品型號B-M-1030nm-4x4

          品       牌其他品牌

          廠商性質(zhì)代理商

          所  在  地深圳市

          更新時間:2023-02-22 09:29:48瀏覽次數(shù):297次

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          BATOP反射鏡和長通濾光片提供寬帶鍍金膜反射鏡,AlAs / GaAs布拉格反射鏡,900nm長通濾光片和LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制。這些反射鏡和濾光片尺寸通常只有1.3mmx 1.3mm~4.0mmx 4.0mm,卻擁有光滑的表面,良好的導(dǎo)熱率。它們通常以砷化鎵(GaAs)晶體為基底,能被切成小塊矩形鏡片,也可定制按需求尺寸。

          BATOP反射鏡和長通濾光片

          長通濾光片,布拉格反射鏡,鍍金膜反射鏡,LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

           

          假如需要尺寸幾毫米的反射鏡或長通濾波器,就可以在單晶砷化鎵襯底上生產(chǎn)這種裝置。單晶砷化鎵的熱導(dǎo)率非常好,高達55w / (m * k) ,由于其立方晶體結(jié)構(gòu),可以被切割成小的矩形晶片。德國BATOP公司的單晶砷化鎵基底產(chǎn)品主要分為:寬帶鍍金膜反射鏡,AlAs / GaAs布拉格反射鏡,900nm長通濾光片。

          BATOP還可以在砷化鎵基底上提供生長AlAsGaAs,InAsAlGaAs,AlInAs  InGaAs 等多種材料的高質(zhì)量外延薄膜層。

           


          AlAs / GaAs布拉格反射鏡

          如果需要尺寸只有幾毫米的非常小的高反射率反射鏡,那么 GaAs 芯片上的單晶 AlAs / GaAs布拉格反射鏡是合適的。單晶砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好熱導(dǎo)率。方便切割成各種尺寸,維爾克斯光電提供標(biāo)準(zhǔn)基片厚度為450μm的未安裝布拉格反射鏡

           

          可用芯片面積:

          4.0mmx 4.0mm

          2.0mmx 2.0mm

          1.3mmx 1.3mm

          根據(jù)要求定制尺寸

          1030nm AlAs / GaAs布拉格反射鏡型號:

          寬帶鍍金膜反射鏡:

          如果需要尺寸僅為幾mm的非常小的寬帶鏡,那么鍍金的GaAs芯片是合適的。 作為反射金層的基板的單晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /m * K)的良好導(dǎo)熱率。 它可以切割成小的正方形或矩形芯片。鍍金膜反射鏡可用作波長> 800 nm的寬帶反射器。隨著波長的增加,反射率還會不斷增加。BATOP提供未安裝的金鏡,標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450μm

           

          可用芯片面積:

          4.0mmx 4.0mm

          2.0mmx 2.0mm

          1.3mmx 1.3mm

          根據(jù)要求定制尺寸

           

          鍍金膜反射鏡型號:

          900nm長通濾波片

          長通吸收濾光片是用來去除長波長激光信號中的短波長光(例如剩余的泵浦光)。

          我們的長通濾波器使用半絕緣砷化鎵晶體上的外延半導(dǎo)體吸收層。這種晶圓材料可以根據(jù)客戶的需要切成長方形的小片。 短波長的光被濾光片吸收,然后轉(zhuǎn)換成熱量。為了去除熱量,必須使用適當(dāng)?shù)慕饘侔惭b件如散熱器。BATOP提供標(biāo)準(zhǔn)基片厚度為625μm的未安裝長通濾波器。

           

          可用芯片區(qū)域:

          5.0 mm x 5.0 mm

          4.0毫米 x4.0毫米

          2.0 mm x 2.0 mm

          LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

          BATOP可在砷化鎵基底上提供生長 AlAsGaAs,InAs,AlGaAsAlInAs  InGaAs 等多種材料的高質(zhì)量外延薄膜層,用于 GaAs 晶片的不同應(yīng)用。某些應(yīng)用需要快速時間響應(yīng)器件,如光學(xué)探測器、飽和吸收器或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延的生長設(shè)備,響應(yīng)時間約為1 psBATOP提供的GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的砷化鎵。

           

          參數(shù):

          GaAs(砷化鎵)晶圓直徑: 2"4"

          最大膜層厚度: 5μm

          價格

          2"(50.8mm) LT-GaAs 晶圓: 2000歐元

          4"(100mm) LT-GaAs 晶圓片: 3500歐元

          4"(100mm) LT-InGaAs 晶圓: 4000歐元

          4"(100mm) LT-GaAs 晶片,定制金屬結(jié)構(gòu): 7000歐元



          BATOP反射鏡和長通濾光片

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