德國MolTech的非線性頻率轉換晶體

非線性頻率轉換晶體，KTA晶體，LiIO3晶體

LiS晶體，LiSe晶體，LTB晶體

德國MolTech GmbH提供用于非線性頻率轉換應用的不同非線性光學晶體，該非線性光學晶體系列包含ADP晶體、 AGS晶體、AGSe晶體、BBO晶體、LBO晶體、CLBO晶體、GaSe晶體、HGS晶體、KDP晶體、DKDP晶體、KTA晶體、KTP晶體、LiIO3晶體、LiS晶體、LiSe晶體、LTB晶體、POM晶體、ZGP晶體、DLAP晶體等。從紫外開始的高功率紫外激光到10um以上的紅外領域，MolTech非線性晶體都能滿足用戶的需求。

德國Molecular Technology (MolTech) GmbH成立于1990 年，最初面向新材料、組件和技術的開發(fā)，特別是在“激光、光學、電子"領域。在公司的進一步發(fā)展過程中，業(yè)務興趣擴展到其他產品組，例如實驗室設備和材料性能測試設備。

LiIO3晶體

LiIO3晶體是一種單軸非線性晶體，具有較高的非線性光學系數(shù)和較寬的透明度范圍。它被用于中低功率Ti:Sapphire、Alexandrite和其他激光器的倍頻。在某些情況下，它被用于Nd:YAG激光器的倍頻和三倍頻，以及用于測量超短脈沖寬度的自動跟蹤器。

IS晶體

LIS晶體的非線性特性與AgGaS2和AgGaSe2接近，但它們的晶體結構不同。LiInS2是熱釋電，其電光參數(shù)是將其作為有效電光材料的基礎。

應用。

- 將二氧化碳激光輻射圖像向上轉換到近紅外或可見光區(qū)域

- 中紅外范圍內的不同頻率發(fā)生器（2-12微米）

- 1-12微米范圍內的光學參數(shù)振蕩器，泵為Al2O3：Ti

- 在中紅外區(qū)域的頻率混合

- 用于使用OPO的可調諧固體激光器，由1.2-10微米范圍內的Nd:YAG和其他激光器泵浦。

LISe晶體

LISe晶體的光譜透明度范圍和高雙折射率使人們能夠實現(xiàn)所有廣泛使用的中紅外激光器的倍頻。它們的效率與AgGaS2晶體的效率相同，是LiInS2晶體效率的兩倍。LiInSe2晶體的優(yōu)點是可以通過近紅外固體激光器（尤其是Nd:YAG激光器）的輻射產生中紅外參量光振蕩器，其效率比使用的AgGaS2和LiInSe2晶體高出一倍多。同樣值得注意的是，LiInSe2晶體在飛秒脈沖的頻率轉換方面比所有已知的晶體在中紅外區(qū)域和直接轉換飛秒Ti:sapphire和Cr:forsterite激光器的輻射到中紅外區(qū)域方面都有潛在的優(yōu)勢。

LTB晶體

LTB晶體作為一種新開發(fā)的單晶，在表面聲波（SAW）設備中具有潛在的應用，引起了人們的廣泛關注。它的特點是延遲時間的低溫系數(shù)，高機電耦合常數(shù)和大壓電常數(shù)。

應用。

- YAG激光器的諧波產生（SHG, THG, 4HG, 5HG）。

- 基于可見激光輻射的SHG和SFH的高功率紫外光源

- 在BAW和SAW設備中

HGS晶體

較高的激光損傷閾值和轉換效率允許在 1.0 到 10 µm 的波長范圍內使用HGS晶體進行倍頻和 OPO/OPA。已經確定，對于 4 mm 長的 HgGa2S4 元件，CO2 激光輻射的倍頻效率約為 10%（脈沖持續(xù)時間 30 ns，輻射功率密度 60 MW/cm2）。盡管大尺寸晶體生長過程相當困難，但其高轉換效率和寬范圍的輻射波長調諧使得該非線性頻率轉換晶體有望與 AgGaS2、AgGaSe2、ZnGeP2 和 GaSe 晶體競爭。

應用：

- CO和CO2激光器上的二次諧波發(fā)生器

- 不同的頻率發(fā)生器到中紅外區(qū)域。

- 光學參數(shù)振蕩器

- 中紅外區(qū)域的頻率混合

GaSe晶體

硒化鎵（GaSe）非線性光學單晶是一種非常適合中紅外倍頻的材料，GaSe晶體具有大非線性系數(shù)、高損傷閾值和寬透明范圍。在6.0微米到12.0微米的波長范圍內研究了GaSe的倍頻特性，GaSe已經成功地應用在多個領域。由于材料結構（沿(001)平面裂開）限制了應用領域，因此無法切割特定相位匹配角的晶體。我們提供根據(jù)客戶訂單制作的GaSe光學元件。

應用：

- CO2激光的高效倍頻（轉換率高達9%）；

- 用于脈沖CO、CO2和化學DF激光（l=2.36微米）輻射的倍頻；

- CO和CO2激光輻射的上轉換到可見光范圍；

- 通過釹和紅外染料激光或（F-）中心激光脈沖的差頻混合產生紅外脈沖；

- 在3.5-18微米內產生OPG光；

- 產生太赫茲（T-射線）輻射。

KTA晶體

KTA晶體是最近為非線性光學和電光器件應用開發(fā)的一種優(yōu)秀的光學非線性晶體。與KTP相比，這些非線性光學和電光系數(shù)更高，而且它們還有一個好處，就是在2.0-5.0微米區(qū)域的吸收明顯減少。大的非線性系數(shù)與寬的角度和溫度帶寬相結合。KTA晶體的其他優(yōu)點是低介電常數(shù)、低損耗正切和離子導電率比KTP低幾個數(shù)量級。這種單晶體具有化學和熱穩(wěn)定性，不吸濕，并且對高強度的激光輻射具有很強的抵抗力。

KTA晶體對于二次諧波發(fā)生（SHG）、和差頻率發(fā)生（SFG）/（DFG）、光參數(shù)振蕩（OPO）、電光Q開關和調制以及作為光波導的基材都很重要。基于這些晶體的OPO裝置是可靠的、可調諧激光輻射的固態(tài)源，其能量轉換效率高于50%。KTA有一個非常高的損傷閾值。在皮秒染料激光器的10 - 20 GW/cm2的水平上，沒有觀察到光學損傷。這種晶體是使用高溫通量技術生長的。

應用。

  - 在中紅外區(qū)域1-5.5mkm的光學參數(shù)振蕩器

  - 在中紅外區(qū)域1-5.5mkm的不同頻率發(fā)生器。

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