巴魯夫數(shù)據(jù)載碼體模塊現(xiàn)貨BIS0011

巴魯夫數(shù)據(jù)載碼體模塊現(xiàn)貨BIS0011

BIS M使用高頻 (HF) 13.56 MHz，支持DIN ISO 15693和14443標(biāo)準(zhǔn)。讀/寫(xiě)磁頭是數(shù)據(jù)載體和分析單元之間的連接紐帶。BIS M讀/寫(xiě)磁頭提供的數(shù)據(jù)安全性。它們有不同的結(jié)構(gòu)形式、尺寸 – 例如圓形/棒形天線，所以能滿足各種各樣的任務(wù)要求。

接口

• 多種測(cè)量模式（黑暗測(cè)量、多重測(cè)量、透明模式）

• 帶計(jì)數(shù)和時(shí)間功能的運(yùn)行小時(shí)計(jì)數(shù)器

• 統(tǒng)計(jì)記錄

• 精確的 1 類激光（無(wú)需額外的防護(hù)措施）

• 高分辨率 (10...100 μm)

• 金屬外殼，玻璃光學(xué)組件

• 重置輸入

• 便于操作的圖形顯示器

• 切換輸出端A1作為模擬輸出端可切換(0...10 V/4...20 mA)

• 可消除的溫度偏差

• 設(shè)有 2 個(gè)彼此獨(dú)立的切換輸出端

BALLUFF的IO-link工業(yè)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品與RFID（BIS V系列處理器、讀寫(xiě)頭）的結(jié)合運(yùn)用， 具有分布性強(qiáng)、防護(hù)等級(jí)高、易于安裝維護(hù)、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于汽車零部件行業(yè)的全自動(dòng)裝配線，全自動(dòng)測(cè)試線。大大節(jié)約了現(xiàn)場(chǎng)硬件投資成本，并減少設(shè)備的停機(jī)維護(hù)時(shí)間，提高客戶的生產(chǎn)效率。

【蘭斯特保證產(chǎn)品*，假一罰十！】

2、BALLUFF BISV系列RFID應(yīng)用

安裝數(shù)量可觀的讀寫(xiě)頭，確認(rèn)每個(gè)托盤(pán)上的工件信息，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試、分類、 召回、返工及報(bào)廢。由于生產(chǎn)節(jié)拍快，讀寫(xiě)的時(shí)間非常有限，因此用戶對(duì)動(dòng)態(tài)讀寫(xiě)速度有很高要求。BIS V的無(wú)線追溯方案可以實(shí)現(xiàn)高速的動(dòng)態(tài)讀寫(xiě)功能，充分滿足高速生產(chǎn)節(jié)拍的要求。同時(shí)BIS V處理器可連接4個(gè)RFID讀寫(xiě)頭，是常規(guī)處理器的兩倍，為客戶節(jié)約了硬件成本。

3、BALLUFF工業(yè)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品應(yīng)用

每個(gè)裝配汽車座椅的工位安裝了眾多巴魯夫接近開(kāi)關(guān)、氣缸磁敏開(kāi)關(guān)和光電開(kāi)關(guān)，它們可精確完成裝配線上鉚接、涂膠、點(diǎn)焊等裝配動(dòng)作，減少差錯(cuò)率，提高產(chǎn)能，優(yōu)化制造商的裝配線流程。除此之外，巴魯夫工業(yè)網(wǎng)絡(luò)與連接的主站模塊和IO-link子站，可用于連接傳感器各個(gè)開(kāi)關(guān)點(diǎn)，提供DI、DO及模擬量輸出， 方便客戶設(shè)計(jì)、布線、安裝和維護(hù)。

1、渦流式接近開(kāi)關(guān)

　　這種開(kāi)關(guān)有時(shí)也叫電感式接近開(kāi)關(guān)。它是利用導(dǎo)電物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)接近開(kāi)關(guān)時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用到接近開(kāi)關(guān)，使開(kāi)關(guān)內(nèi)部電路參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)導(dǎo)電物體移近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是導(dǎo)電體。

2、電容式接近開(kāi)關(guān)

　　這種開(kāi)關(guān)的測(cè)量通常是構(gòu)成電容器的一個(gè)極板，而另一個(gè)極板是開(kāi)關(guān)的外殼。這個(gè)外殼在測(cè)量過(guò)程中通常是接地或與設(shè)備的機(jī)殼相連接。當(dāng)有物體移向接近開(kāi)關(guān)時(shí)，不論它是否為導(dǎo)體，由于它的接近，總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化，從而使電容量發(fā)生變化，使得和測(cè)量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化，由此便可控制開(kāi)關(guān)的接通或斷開(kāi)。這種接近開(kāi)關(guān)檢測(cè)的對(duì)象，不限于導(dǎo)體，可以絕緣的液體或粉狀物等。

位移傳感器的工作原理：

　　電位器式位移傳感器，它通過(guò)電位器元件將機(jī)械位移轉(zhuǎn)換成與之成線性或任意函數(shù)關(guān)系的電阻或電壓輸出。普通直線電位器和圓形電位器都可分別用作直線位移和角位移傳感器。但是，為實(shí)現(xiàn)測(cè)量位移目的而設(shè)計(jì)的電位器，要求在位移變化和電阻變化之間有一個(gè)確定關(guān)系。電位器式位移傳感器的可動(dòng)電刷與被測(cè)物體相連。

BIS V-6108-048-C002  

BIS M-371-000-A01

BIS M-135-03/L

BCC M415-M414-3A-305-PS0434-100

BCC A335-0000-10-000-61X5A5-000

BCC M474-0000-2D-000-51X475-000

BES 516-325-SA19-03

BES 516-371-G-E4-C-02

BIS M-626-069-A01-06-ST32

BIS M-135-03/L-HT

BIS M-870-1-008-X-001

BIS  C-61R-001-08P-PU-05

BSI R11A0-XB-CXS045-S75G

BTL5-P-5500-2

BTL5-E10-M0150-P-S32

BTL7-S562-M0305-P-S32

BTL6-E500-M0450-PF-S115

BTL5-T110-M0175-P-S103

BTL7-E501-M0300-P-S32

BTL7-S575B-M1700-P-S32

BTL5-A11-M0407-P-S32

BTL7-G110-M0050-B-KA05

BTL7-S572-M0650-P-S32

BTL6-A110-M0250-A1-S115

BTL7-E500-M0225-K-SR32

BTL7-E500-M0425-K-SR32

BES 516-325-G-E5-C-S4

BES M12MI-PSH80B-S04G

BES M12MI-PSC20B-BV03

BIS V-6111-073-C003

其精細(xì)、清晰的激光束可讓您精確地探測(cè)到哪怕是小的物體。由于模擬量輸出曲線可根據(jù)您的應(yīng)用進(jìn)行調(diào)整，因此您還可以單獨(dú)設(shè)置傳感器的測(cè)量范圍。該傳感器還具有開(kāi)關(guān)量輸出端，可將其用作限位開(kāi)關(guān)。例如，可以對(duì)其進(jìn)行設(shè)置，讓傳感器在沒(méi)有補(bǔ)給時(shí)進(jìn)行切換。且傳感器的設(shè)置很簡(jiǎn)單。開(kāi)關(guān)點(diǎn)和輸出曲線都可使用簡(jiǎn)單的按鍵來(lái)示教。可使用安裝支架或燕尾夾進(jìn)行快速安裝，從而加快調(diào)試速度。

根據(jù)電屬性狀態(tài)的不同變化，將光電效應(yīng)分為以下三種：

1）外光電效應(yīng)

在光線作用下使電子逸出物體表面的現(xiàn)象稱為外光電效應(yīng)?；谕夤怆娦?yīng)的光電元件有光電管，光電倍增管等。

2）光電島效應(yīng)

有光電管，光電倍增管等。

半導(dǎo)體內(nèi)的電子吸收光子后不能躍出半導(dǎo)體，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱為內(nèi)光電效應(yīng)。內(nèi)光電效應(yīng)按其工作原理可分為光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏*應(yīng)?；诠怆妼?dǎo)效應(yīng)的光電元件有光敏電阻，光敏晶體管等。

3）光生伏*應(yīng)

在光線作用下，物體產(chǎn)生一定方向電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱為光生伏*應(yīng)。基于光生伏*應(yīng)的光電元件有光電池和光敏二極管、三極管等。

以光電管為例，當(dāng)入射光照射在陰極上時(shí)，單個(gè)光子把它的全部能量傳遞給陰極材料中的一個(gè)自由電子，從而使自由電子的能量增加。當(dāng)電子獲得的能量大于陰極材料的逸出功時(shí)，它就可以克服金屬表面束縛而逸出，形成電子發(fā)射，這種電子稱為光電子。只有當(dāng)入射光的頻率高于極限頻率時(shí)，才會(huì)產(chǎn)生光電子。