Si3N4陶瓷基片 晶體基片
氮化硅的強(qiáng)度很高，是熱壓氮化硅，是上堅(jiān)硬的物質(zhì)之一。它極，強(qiáng)度一直可以維持到１２００℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到１９００℃才會分解，并有驚人的耐化學(xué)腐蝕性能，能耐幾乎的無機(jī)酸和３０％以下的燒堿溶液，也能耐很多有機(jī)酸的腐蝕；同時又是一種電材料。氮化硅陶瓷可做燃?xì)廨啓C(jī)的燃燒室、機(jī)械密封環(huán)、輸送鋁液的電磁泵的管道及閥門、模具、鋼水分離環(huán)等。
Si3N4陶瓷基片 晶體基片
氮化硅(Si3N4)陶瓷
氮化硅陶瓷是一種燒結(jié)時不收縮的無機(jī)材料。它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形狀，在氮?dú)庵屑埃保玻埃?/font>℃的高溫下進(jìn)行初步氮化，使其中一部分硅粉與氮反應(yīng)生成氮化硅，然后在１３５０℃～１４５０℃的高溫爐中進(jìn)行次氮化，反應(yīng)成氮化硅。用熱壓燒結(jié)法可制得理論密度９９％的氮化硅。
分子式 Si3N4
相對分子質(zhì)量 140.28
顏色 灰色、灰黑色
晶系 六方晶系。晶體呈六面體
陶瓷片制備方法 熱壓法
相對密度 99.5%
密度 3.2+/-0.02 g/cm3
莫氏硬度 9~9.5
熔點(diǎn) 1900℃（加壓下）。通常在常壓下1900℃分解
熱膨脹系數(shù) 2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)
比熱容 0.71J/(g·K)
熱導(dǎo)率 15~ 20W/(m·K)
彈性模量 300~320 GPa
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