Si3N4p/氮化硅復(fù)合材料 科研試劑
摘要：根據(jù)Si3N4顆粒體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及等溫化學(xué)氣相法 (ICVI)的工藝特點(diǎn),對(duì)Si3N4顆粒Si3N4復(fù)合材料的致密化過程進(jìn)行了數(shù)值模擬.用球形孔隙模型表征Si3N4顆粒體的結(jié)構(gòu)特征,用傳 質(zhì)連續(xù)方程表征在預(yù)制體中的濃度分布.為了檢驗(yàn)?zāi)Ｐ偷男院瓦m用性,進(jìn)行了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證.模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有相似的致密化規(guī)律,的滲透 時(shí)間和孔隙率與實(shí)驗(yàn)結(jié)果均接近,表明中建立的數(shù)學(xué)模型可以較好地表征Si3N4P/Si3N4復(fù)合材料的ICVI過程.
Si3N4p/氮化硅復(fù)合材料 科研試劑
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