半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 數(shù)字式四探針測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測(cè)儀 方塊電阻薄層電阻測(cè)試儀

型號(hào)AODD-8

DL10-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。

儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

DL10-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。

儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

技　術(shù)　指　標(biāo)：

測(cè)量范圍電阻率：10-4～105Ω.cm(可擴(kuò)展)；

方塊電阻：10-3～106Ω/□(可擴(kuò)展)；

電導(dǎo)率：10-5～104s/cm；

電阻：10-4～105Ω；

可測(cè)晶片直徑140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；

200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))；

400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；

恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　

分辨力：10μV；

輸入阻抗：>1000MΩ；

精度：±0.1%；

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)間距：1±0.01mm；

針間絕緣電阻：≥1000MΩ；

機(jī)械游移率：≤0.3%；

探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；

探針壓力：5～16牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)(見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差

(按JJG508-87進(jìn)行)0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%

計(jì)算機(jī)通訊接口并口

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度：23±2℃；

相對(duì)濕度：≤65%；

無高頻干擾；

無強(qiáng)光直射；