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          BM薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗(tgd)實(shí)測(cè)圖
          • BM薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗(tgd)實(shí)測(cè)圖
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          貨物所在地:北京北京市

          地: 北京

          更新時(shí)間:2024-11-20 15:39:06

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          JKZC-BMZD01型薄膜介電常數(shù)及損耗測(cè)試儀是一款針對(duì)薄膜測(cè)試的專(zhuān)用設(shè)備,測(cè)試薄膜介電常數(shù)及損耗需要特制的夾具,通過(guò)軟件可以采集到介損(tgd)及介電常數(shù)(ε)器件的介電性能測(cè)量與分析,可測(cè)試以下參數(shù)隨頻率(f)、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規(guī)律:電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位角(&#216;)、電導(dǎo)(B)、導(dǎo)納(Y)、損耗(D)、品質(zhì)因數(shù)(Q)等參數(shù),同時(shí)計(jì)算獲得反

          JKZC-BMZD01型薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗測(cè)試儀tgd

          JKZC-BMZD01型薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗測(cè)試儀tgd

          關(guān)鍵詞:介電常數(shù)(ε),損耗測(cè)試儀tgd),品質(zhì)因數(shù)(Q),頻率(f)

          薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗(tgd)實(shí)測(cè)圖

              JKZC-BMZD01型薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗測(cè)試儀tgd是目前針對(duì)PVDF薄膜材料,是一款真正意義上的絕緣薄膜材料介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀。是目前能夠處理的介電常數(shù)(ε)和介損(tgd)的圖譜。GB/T1693-2007主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線(xiàn)路。主要可以測(cè)量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tgd)和電容量( Cx)以,其測(cè)量線(xiàn)路采用“正接法"即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成,本電橋特別適應(yīng)測(cè)量各類(lèi)絕緣油和絕緣材料的介損(tgd)及介電常數(shù)(ε)。

           JKZC-BMZD01型薄膜介電常數(shù)及損耗測(cè)試儀是一款針對(duì)薄膜測(cè)試的專(zhuān)用設(shè)備,測(cè)試薄膜介電常數(shù)及損耗需要特制的夾具,通過(guò)軟件可以采集到介損(tgd)及介電常數(shù)(ε)器件的介電性能測(cè)量與分析,可測(cè)試以下參數(shù)隨頻率(f)、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規(guī)律:電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位角(?)、電導(dǎo)(B)、導(dǎo)納(Y)、損耗(D)、品質(zhì)因數(shù)(Q)等參數(shù),同時(shí)計(jì)算獲得反應(yīng)材料介電性能的復(fù)介電常數(shù)和損耗參數(shù)。

          薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗(tgd)實(shí)測(cè)圖

                                    薄膜介電常數(shù)(ε)

          薄膜介電常數(shù)(ε)及損耗(tgd)實(shí)測(cè)圖

                             薄膜介損(tgd)圖譜



          三電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):

          微調(diào)千分尺:微調(diào)千分尺具備0.001mm的調(diào)節(jié)精度,可精細(xì)化調(diào)節(jié)上下電極之間的距離。

          平行板測(cè)試電極:下電極固定在底部支撐座,上電極可由微調(diào)千分尺調(diào)節(jié)行程距離。上電極帶有保護(hù)電極。

          上電極片:上電極標(biāo)配有2mm球頭電極、φ26.8mm圓片電極和φ38mm圓片電極??筛鶕?jù)樣品大小隨時(shí)更換。

          鎖緊裝置:當(dāng)樣品放入上下電極之間后,可調(diào)節(jié)此鎖緊裝置,固定上下電極的調(diào)節(jié)行程。防止輕微移動(dòng)引起的刻度偏差。

          嚴(yán)格按照ASTM   D150國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì),電極表面鍍金處理,導(dǎo)電性能好、抗氧化,使用壽命更長(zhǎng)

          一、真正的三電極設(shè)計(jì)

          介電夾具基于ASTM D150標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法,采用三電極法設(shè)計(jì)。上電極+下電極+保護(hù)電極,電極表面鍍金處理,導(dǎo)電性能好、抗氧化。為消除測(cè)試連接線(xiàn)阻抗及連接線(xiàn)之間相互耦合對(duì)測(cè)試的影響,儀器與夾具電極連接采用4端對(duì)法。

          得益于測(cè)試線(xiàn)纜和電極引線(xiàn)的良好屏蔽,屏蔽層直達(dá)測(cè)試電,因此獲得更高的校準(zhǔn)頻率。

          2.校準(zhǔn)頻率最高可達(dá)100MHz

          適配的阻抗分析儀更加豐富,充分利用測(cè)試儀器的測(cè)試頻率范圍(20Hz-120MHz),以滿(mǎn)足測(cè)試樣品對(duì)更高頻率的要求。

          3.高精度調(diào)節(jié)行程

          適配高精度微調(diào)千分尺,可調(diào)精度為0.001mm

          上電極可調(diào)行程為12mm,并帶有鎖緊裝置,可有效鎖定當(dāng)前刻度位置,確保測(cè)試的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

          標(biāo)配26.8/38mm尺寸電極片,可滿(mǎn)足不同尺寸樣品測(cè)量,樣品安裝方便、簡(jiǎn)單

          主要技術(shù)參數(shù):

          1、測(cè)試頻率:DC~100MHz

          2、樣品要求:雙面涂覆電極,保持平整、光滑

          3、樣品尺寸:2mm≤φ≤60mm,厚度≤10mm

          4、電極圓片:無(wú)。有效面積:樣品上下涂覆電極垂直重疊部分面積

          5、誤差分析:存在邊緣電容,樣品表面凹陷處被導(dǎo)電體填充

          6、測(cè)試接口:4個(gè)SMA母頭

          7、上電極:φ2mm球頭電極+φ26.8mm圓片電極+φ38mm圓片電極

          8、保護(hù)電極:上電極帶保護(hù)電極,電極表面鍍金

          9、上電極壓力調(diào)節(jié):12mm行程調(diào)節(jié),用于上電極與樣品良好的電性能接觸

          10、帶電極樣品尺寸:2mm≤φ≤60mm,厚度≤10m

          11、設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn):ASTM D150D2149-97國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),GB/T1409-2006國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

          12、電極結(jié)構(gòu):兩平行板電極+保護(hù)電極,三電極結(jié)構(gòu)

          13、電極引線(xiàn):同軸屏蔽線(xiàn),消除電磁干擾對(duì)測(cè)試影響

          14、下電極:φ60mm鍍金圓片電極

          15、上電極行程調(diào)節(jié):12mm行程調(diào)節(jié),用于樣品安裝

          16、數(shù)據(jù)存儲(chǔ):數(shù)據(jù)庫(kù)保存各類(lèi)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),同時(shí)輸出TXT、XLSBMP等格式文件,對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)提供豐富的查詢(xún)與分析,輸出圖形與數(shù)據(jù)。




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