半導(dǎo)體CMP清洗12 英寸專用超聲波流量計

一、化學(xué)機械拋光（CMP）基本概念：

CMP，即化學(xué)機械拋光，是一種通過化學(xué)和機械相結(jié)合的方式對硅片表面進行精確研磨和拋光的技術(shù)。正是這一技術(shù)的硬件基礎(chǔ)，它能夠?qū)崿F(xiàn)硅片表面的全局平坦化，為后續(xù)的工藝提供良好的基礎(chǔ)。CMP設(shè)備是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝設(shè)備。

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1、CMP 設(shè)備基本情況

1）CMP主要主要過程

CMP過程包括三個主要步驟：拋光、清洗和傳送。拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料發(fā)生反應(yīng)，形成一層可被機械移除的薄膜，隨后拋光墊通過機械作用去除這層薄膜，從而實現(xiàn)表面的平滑。

2）CMP設(shè)備的主要類型

CMP設(shè)備根據(jù)應(yīng)用端需求可分為8英寸、12英寸以及6/8英寸兼容設(shè)備。

3）CMP設(shè)備的主要應(yīng)用領(lǐng)域

主要用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，且半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可分為晶圓材料制造、半導(dǎo)體設(shè)計、半導(dǎo)體制造、封裝測試四大環(huán)節(jié)。除半導(dǎo)體設(shè)計環(huán)節(jié)外，其他領(lǐng)域均有 CMP 設(shè)備應(yīng)用：

①晶圓材料制造環(huán)節(jié)：在拋光環(huán)節(jié)需要應(yīng)用 CMP 設(shè)備得到平整的晶圓材料。