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          半導(dǎo)體和鈣鈦礦材料的高光譜(顯微)成像

          2023-7-25  閱讀(627)

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          目前在光伏業(yè)界,正在進(jìn)行一項(xiàng)重大努力,以提高光伏和發(fā)光應(yīng)用中所用半導(dǎo)體的效率降低相關(guān)成本。這就需要探索和開(kāi)發(fā)新的制造和合成方法,以獲得更均勻、缺陷更少的材料。

          無(wú)論是電致還是光致發(fā)光,都是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的重要工具。通過(guò)發(fā)光可以深入了解薄膜內(nèi)部發(fā)生的重組過(guò)程, 而無(wú)需通過(guò)對(duì)完整器件的多層電荷提取來(lái)解決復(fù)雜問(wèn)題。

          HERA高光譜照相機(jī)繪制半導(dǎo)體光譜成像的理想設(shè)備,因?yàn)樗軌?span style="font-synthesis: style; font-weight: 600;">快速、定量地繪制半導(dǎo)體發(fā)射光譜圖,且具有高空間分辨率和高光譜分辨率的特性。

          硅太陽(yáng)能電池的電致發(fā)光光譜成像

          光伏設(shè)備中的缺陷會(huì)導(dǎo)致光伏產(chǎn)生的載流子發(fā)生重組,阻礙其提取并降低電池效率。電致發(fā)光光譜成像可以揭示這些有害缺陷的位置和性質(zhì)。

          "反向"驅(qū)動(dòng)太陽(yáng)能電池(即施加電流)會(huì)產(chǎn)生電致發(fā)光,因?yàn)檩d流子在電極上被注入并在有源層中重新結(jié)合。在理想的電池中,所有載流子都會(huì)發(fā)生帶間重組,這在硅中會(huì)產(chǎn)生1100 nm附近的光(效率非常低)。然而,晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷會(huì)產(chǎn)生其他不利的重組途徑。雖然這些過(guò)程通常被稱為"非輻射"重組,但偶爾也會(huì)產(chǎn)生光子,其能量通常低于帶間發(fā)射。捕獲這些非常罕見(jiàn)的光子可以了解缺陷的能量和分布。

          在本實(shí)驗(yàn)中,我們使用了HERA SWIR (900-1700 nm),它非常適合測(cè)量硅發(fā)光衰減。測(cè)量裝置如圖1所示:HERA安裝在三腳架上,在太陽(yáng)能電池上方,連接到一個(gè)10A的電源。640×512像素的傳感器安裝在樣品上方75厘米處,空間分辨率約為250微米。

          圖1. 實(shí)驗(yàn)裝置

          最重要的是,HERA光學(xué)系統(tǒng)沒(méi)有輸入狹縫,因此光通量非常高,是測(cè)量極微弱光發(fā)射的理想選擇。

          圖2.A2.B顯示了兩個(gè)波長(zhǎng)的電致發(fā)光(EL)圖像:1150 nm(帶間發(fā)射)和1600 nm(缺陷發(fā)射),這是4次掃描的平均值(總采集時(shí)間:5分鐘)。通過(guò)分析這些圖像,我們可以看到,盡管缺陷區(qū)域的亮度遠(yuǎn)低于主發(fā)射區(qū)域,但它們?nèi)员磺逦胤直娉鰜?lái)。此外,具有強(qiáng)缺陷發(fā)射的區(qū)域的帶間發(fā)射相對(duì)較弱。

          我們可以注意到有幾個(gè)區(qū)域在兩個(gè)波長(zhǎng)下都是很暗的;這可能是由于樣品在運(yùn)輸過(guò)程中損壞了電池造成的。

          圖2.C中以對(duì)數(shù)標(biāo)尺顯示了小方塊感興趣區(qū)域(圖2A和2B中所示)的光譜。

          圖 2.A 和 B:兩個(gè)選定波長(zhǎng)(1150 nm 和 1600 nm)的電致發(fā)光(EL)圖像。C:A和B中三個(gè)不同區(qū)域?qū)?yīng)的電致發(fā)光光譜(圖像中的彩色方框)。

          金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜的光致發(fā)光顯微研究

          通過(guò)旋涂等技術(shù)含量低、成本效益高的方法,可以制造出非常高效的太陽(yáng)能電池和LED。這些方法面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)是在微觀長(zhǎng)度的尺度上保持均勻的成分。光致發(fā)光顯微鏡是表征這種不均勻性的一個(gè)特別強(qiáng)大的工具。

          HERA高光譜相機(jī)可以連接到任何顯微鏡(正置或倒置)的c-mount相機(jī)端口,并直接開(kāi)始采集高光譜數(shù)據(jù),無(wú)需任何校準(zhǔn)程序。

          圖3. 與尼康LV100直立顯微鏡連接的HERA VIS-NIR。

          在本實(shí)驗(yàn)中,我們使用HERA VIS-NIR(400-1000 nm)耦合尼康LV100直立顯微鏡(圖3)來(lái)表征兩種鹵化物前驅(qū)體合金的帶隙分布。將兩種鹵化物前驅(qū)體合金化的優(yōu)點(diǎn)是能夠調(diào)整材料的帶隙;然而,這兩種成分經(jīng)常會(huì)發(fā)生逆混合,從而導(dǎo)致性能損失。

          本實(shí)驗(yàn)的目的是檢測(cè)這種逆混合現(xiàn)象:事實(shí)上,混合比的局部變化會(huì)改變局部帶隙,從而導(dǎo)致發(fā)射不同能量的光子。

          在這種配置中,激發(fā)光來(lái)自汞燈,通過(guò)帶通濾光片在350 nm處進(jìn)行濾光,并通過(guò)發(fā)射路徑上的二向色鏡將其從相機(jī)中濾除。

          HERA的高通量使其能夠在大約1分鐘的測(cè)量時(shí)間內(nèi)收集完整的數(shù)據(jù)立方體(130萬(wàn)個(gè)光譜)。

          圖4.樣品的光譜綜合強(qiáng)度圖(A:全尺寸;B:放大)。

          圖4.A4.B分別顯示了所有波長(zhǎng)(400-1000 nm)總集成信號(hào)的全尺寸和放大圖像,揭示了長(zhǎng)度尺度在1 µm左右的明亮特征。

          當(dāng)我們比較亮區(qū)和暗區(qū)的光譜時(shí)(圖5.B中的黑色和紅色曲線),我們發(fā)現(xiàn)暗區(qū)實(shí)際上也有發(fā)射, 不僅強(qiáng)度較低,而且波長(zhǎng)中心比亮區(qū)短。事實(shí)上,光譜具有雙峰形狀,很可能與逆混合前驅(qū)體的發(fā)射相對(duì)應(yīng)。圖5.A的發(fā)射圖清楚地顯示了帶隙的這種變化。

          我們現(xiàn)在可以理解為什么低帶隙區(qū)域看起來(lái)更亮了--載流子可能從高帶隙區(qū)域弛豫到那里,并且在發(fā)生輻射重組之前無(wú)法返回。

          圖5.A:顯示平均發(fā)射波長(zhǎng)的強(qiáng)度圖。B:亮區(qū)和暗區(qū)的發(fā)射光譜(正?;?。

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