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低噪聲的內(nèi)置場效應管的半導體核輻射探測器
閱讀：1620 發(fā)布時間：2018-11-26
本發(fā)明涉及半導體核輻射探測器使用的光電二極管和級前置放大器的場效應管。現(xiàn)有的核輻射探測器使用的光電二極管和場效應管為兩個部件，固定在同一基板上，彼此連接采用金絲點焊。由于金絲有大約10mm長，其分布電容大約在0.2pf左右。
本發(fā)明將光電二極管和場效應管光刻在同一片硅片上，這樣場效應管柵極和光電二極管之間幾乎是直接相連，大大降低分布電容，其分布電容大約在0.01~0.02pf。因此該系統(tǒng)因分布電容產(chǎn)生的噪聲遠小于現(xiàn)有的核輻射探測器。